A3R12E40DBF-8EI 時間：2025/5/22 21:35:34 閱讀：12

A3R12E40DBF-8EI 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，適用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用領域。該器件采用先進的半導體制造工藝，具備低導通電阻和快速開關特性，有助于提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
　　其封裝形式為 DPAK（TO-252），能夠提供良好的散熱性能，適合在緊湊型設計中使用。

參數(shù)

類型：MOSFET
　　極性：N-Channel
　　Vds（漏源電壓）：40V
　　Rds(on)（導通電阻）：1.2mΩ
　　Id（持續(xù)漏電流）：60A
　　Vgs（柵源電壓）：±20V
　　Qg（總柵極電荷）：37nC
　　EAS（雪崩能量）：3.1mJ
　　fsw（最大工作頻率）：1MHz
　　封裝：DPAK（TO-252）

特性

A3R12E40DBF-8EI 的主要特性包括：
　　1. 極低的導通電阻（Rds(on) = 1.2mΩ），能夠在大電流應用中顯著降低傳導損耗。
　　2. 快速開關性能，支持高達 1MHz 的開關頻率，非常適合高頻應用。
　　3. 總柵極電荷較低（Qg = 37nC），可減少驅動功耗。
　　4. 高額定電流能力（Id = 60A），確保在重載條件下穩(wěn)定運行。
　　5. 采用 DPAK 封裝，具有良好的散熱性能，同時節(jié)省 PCB 空間。
　　6. 提供 ±20V 的寬范圍柵源電壓，兼容多種驅動電路。
　　7. 具備一定的雪崩能量耐受能力（EAS = 3.1mJ），增強了器件的魯棒性。

應用

A3R12E40DBF-8EI 廣泛應用于以下領域：
　　1. 開關電源（SMPS）
　　2. DC-DC 轉換器
　　3. 電機驅動與控制
　　4. 電池保護電路
　　5. 工業(yè)自動化設備
　　6. 汽車電子系統(tǒng)
　　7. LED 驅動器
　　8. 通信電源模塊
　　該器件憑借其優(yōu)異的性能和可靠性，成為上述應用的理想選擇。