CRSQ113N20N 是一款基于硅材料� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。它能夠承受高達(dá) 200V 的漏源極電壓,并提供出色的電流處理能��
最大漏源極電壓�200V
最大連續(xù)漏極電流�11.3A
�(dǎo)通電阻(典型值)�85mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1250pF
開關(guān)頻率:最高可�(dá) 500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
CRSQ113N20N 提供了卓越的性能表現(xiàn),其低導(dǎo)通電阻顯著減少了傳導(dǎo)損�,從而提高了整體效率。此�,該器件還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻�(yīng)用中減少開關(guān)損�。它的高雪崩能量能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì)確保了在�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
這款 MOSFET 還具有極低的輸入和輸出電�,有助于降低開關(guān)節(jié)�(diǎn)的振鈴現(xiàn)�,簡� PCB 布局�(shè)�(jì)。同�(shí),該器件采用緊湊型封�,適合空間受限的�(yīng)用場景�
CRSQ113N20N 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS�、逆變�、LED �(qū)動器以及電機(jī)控制等。由于其出色的熱�(wěn)定性和電流承載能力,該器件非常適合工業(yè)�(shè)備、汽車電子和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的各種功率管理任�(wù)�
CRSQ113N20T, IRSF1104PBF, AO3400