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IRFR024PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 15:49:14 查看 閱讀�773

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

 


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�100 毫歐 @ 8.4A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�14A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�25nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �640pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irfr024pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfr024pbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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irfr024pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR024, IRFU024
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 8.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds640pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝管件