CDR31BP331BJUR 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、電機驅動和 DC-DC 轉換器等應用。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少能量損��
這款芯片屬于 N 溝道增強� MOSFET,通過柵極電壓控制漏極電流,適合在高頻率和高功率條件下運行�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�33A
導通電阻:2.6mΩ
柵極電荷�45nC
開關時間:ton=8ns, toff=15ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
CDR31BP331BJUR 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(2.6mΩ�,從而減少了傳導損�,并提高了系�(tǒng)整體效率�
2. 快速開關性能,使得該器件非常適合高頻應用場合,如開關電源� DC-DC 轉換器�
3. 高電流承載能力(33A�,能夠在大負載條件下�(wěn)定運��
4. 良好的熱�(wěn)定性,工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適用于惡劣�(huán)境下的應��
5. 小尺寸封裝設�,便� PCB 布局�(yōu)�,節(jié)省空��
CDR31BP331BJUR 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換模��
2. 各類電機驅動電路,包括步進電�、直流無刷電機等�
3. DC-DC 轉換�,用于電池供電設備或汽車電子系統(tǒng)��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制單元�
5. 可再生能源領�,例如太陽能逆變器中的功率管理部分�
6. 高效 LED 驅動電路設計�
CDR31BP331BQUR, CDR31BP331BJTR