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IXFT58N20Q 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/24 10:45:46 查看 閱讀�489

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�40毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�200V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�58A
  Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�4V 4mA
  閘電�(Qg) Vgs�140nC 10V
  在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�3600pF 25V
  功率-最大:300W

封裝參數(shù)

安裝類型:表面貼�
  封裝/外殼:TO-268
  包裝:管�

ixft58n20q推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ixft58n20q參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C58A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 29A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-268-3,D³Pak�2 引線+接片�,TO-268AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-268
  • 包裝管件