BUK966R5-60E是一款由安森美(ON Semiconductor)生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用了先進的功率MOSFET技�,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于各種開關電源、電機驅動和負載開關等應用領�。其封裝形式為TO-247-3,適合高電流和高散熱需求的場景�
該器件的最大額定電壓為60V,能夠滿足多種低壓系�(tǒng)的應用需�,同時具備快速開關特性和較低的柵極電�,有助于提高系統(tǒng)效率并降低功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�118A
導通電阻(典型值)�5mΩ
柵極電荷(Qg):105nC
最大工作結溫:175�
封裝類型:TO-247-3
BUK966R5-60E具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少導通損耗,提升整體效率�
2. 快速開關性能,有助于減少開關損��
3. 高電流處理能�,支持高�118A的連續(xù)漏極電流�
4. 采用TO-247-3封裝,提供良好的散熱性能�
5. 工作溫度范圍�,能夠在-55℃至+175℃的結溫范圍內穩(wěn)定運行�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
這些特性使得BUK966R5-60E成為高效功率轉換應用的理想選��
BUK966R5-60E廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�,如AC-DC適配器和工業(yè)電源�
2. 電機驅動,包括無刷直流電機(BLDC)和步進電機控��
3. 負載開關和保護電�,在便攜式設備和消費電子中實�(xiàn)精確的電源管��
4. 太陽能逆變器中的功率轉換級,用于將直流電轉換為交流��
5. 各類工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
其高性能和耐用性使其非常適合要求嚴苛的應用�(huán)��
IRFB4110TRPBF, FDP5580N