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JDV2S14E 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 16:17:00 查看 閱讀:30

JDV2S14E 是一款雙通道高壓 MOSFET 驅(qū)動器,廣泛應(yīng)用于需要高效驅(qū)動外部功率 MOSFET 的場景。該芯片具有高輸入阻抗和快速開關(guān)特性,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和 LED 驅(qū)動等應(yīng)用。其內(nèi)部集成了電平轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒌蛪哼壿嬓盘栟D(zhuǎn)換為高壓驅(qū)動信號,從而實現(xiàn)對高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET 的有效控制。
  JDV2S14E 支持高達(dá) 600V 的工作電壓,并且內(nèi)置了多種保護(hù)功能以增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性,包括欠壓鎖定 (UVLO) 和短路保護(hù)。

參數(shù)

工作電壓:600V
  輸出電流:±2A
  傳播延遲:50ns
  電源電壓范圍:4.5V 至 30V
  工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  封裝形式:SOIC-8

特性

JDV2S14E 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力:支持高達(dá) 600V 的工作電壓,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
  2. 雙通道設(shè)計:可以同時驅(qū)動兩個外部 MOSFET,分別用于高壓側(cè)和低壓側(cè)。
  3. 快速開關(guān):傳播延遲僅為 50ns,確保高效的功率轉(zhuǎn)換。
  4. 內(nèi)置保護(hù)功能:包括欠壓鎖定 (UVLO) 和短路保護(hù),提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  5. 寬電源電壓范圍:支持 4.5V 至 30V 的電源電壓輸入,適應(yīng)多種供電條件。
  6. 低靜態(tài)功耗:在待機(jī)模式下保持較低的功耗,有助于延長電池壽命。
  7. 工作溫度范圍廣:能夠在 -40°C 至 +125°C 的環(huán)境中正常工作,適用于惡劣的工作條件。

應(yīng)用

JDV2S14E 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的 MOSFET 驅(qū)動器,提升效率和可靠性。
  2. 電機(jī)驅(qū)動:用于驅(qū)動無刷直流電機(jī) (提供高效的功率傳輸。
  3. LED 驅(qū)動:在高亮度 LED 照明系統(tǒng)中用作驅(qū)動器,實現(xiàn)精確的電流控制。
  4. 逆變器:在光伏逆變器或 UPS 系統(tǒng)中,用于驅(qū)動功率級 MOSFET。
  5. 汽車電子:適用于汽車啟停系統(tǒng)、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景。

替代型號

IR2110, SIH616AD, TC4420

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