GA1206Y222JXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等高效率應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小尺寸的需��
類型:MOSFET
極性:N溝道
最大漏源電�(Vdss)�120V
最大連續(xù)漏電�(Id)�65A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
總電�(Ciss)�2000pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1206Y222JXCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低導(dǎo)通損耗�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損耗�
3. �(qiáng)大的過流能力和耐熱性能,適合大功率�(chǎng)��
4. 提供�(yōu)異的雪崩能力,增�(qiáng)器件的魯棒��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
6. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接加工�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化中的變頻器和逆變��
4. 新能源汽車的�(dòng)力管理系�(tǒng)�
5. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器及負(fù)載點(diǎn)(PoL)�(zhuǎn)��
6. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
IRFP260N, FQP17N12, STP110N12F5