時(shí)間：2025/5/23 11:43:55
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BST23C032V是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)特性，適用于需要高效能和高可靠性的電子電路設(shè)計(jì)。
這款MOSFET的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的電氣性能和封裝形式，使其能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)，同時(shí)支持大電流應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理模塊、電源適配器以及各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制電路。
型號：BST23C032V
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源極電壓(Vds)：30V
最大柵源極電壓(Vgs)：±10V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：16A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.5mΩ (在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷(Qg)：38nC
總功耗(Ptot)：14W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-220
存儲溫度范圍：-65℃至+150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的可靠性。
3. 快速開關(guān)速度減少了開關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
4. 支持大電流操作，能夠滿足高性能功率轉(zhuǎn)換需求。
5. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)多種惡劣環(huán)境條件。
6. 具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，減少因溫度變化導(dǎo)致的性能波動。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的嚴(yán)格要求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)元件。
2. 用于直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
3. 電池保護(hù)電路和充電管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
4. 電機(jī)驅(qū)動和控制電路中的功率輸出級。
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. LED驅(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)組件。
7. 汽車電子中的高可靠性功率開關(guān)應(yīng)用。
IRFZ44N, FDP5570, STP16NF06L
