LMUN5112T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,屬� TI(德州儀器)推出� GaN FET 系列。該器件將驅(qū)動器和增強型 GaN 場效�(yīng)晶體管集成在一�,能夠顯著提高電源系�(tǒng)的功率密度和效率。其封裝形式� QFN-16 (4x4),適用于需要高頻開�(guān)和低損耗的場景�
LMUN5112T1G 的設(shè)計使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時具備快速的開關(guān)速度、低柵極電荷和低�(dǎo)通電阻特�,非常適合用� DC/DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC 和其他高性能電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
型號:LMUN5112T1G
工作電壓范圍�10V � 60V
漏源�(dǎo)通電阻(RDS(on)):120mΩ(典型值,� VGS=6V 時)
連續(xù)漏極電流�7A
峰值脈沖漏極電流:30A
柵極電荷(Qg):10nC(典型值)
輸入電容(Ciss):850pF(典型值)
反向傳輸電容(Crss):65pF(典型值)
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:QFN-16 (4x4mm)
隔離耐壓�1200V
LMUN5112T1G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高效� GaN 技�(shù)帶來更低的開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 集成�(qū)動器減少了外部元件數(shù)量,并提高了可靠性和簡化� PCB �(shè)��
3. 快速開�(guān)性能支持高達 MHz 級別的開�(guān)頻率,有助于減小磁性元件尺�,進一步提升功率密��
4. �(nèi)部保護功能包括過流保護、短路保護和熱關(guān)斷功�,確保設(shè)備在異常條件下也能安全運��
5. 工作溫度范圍廣,適應(yīng)多種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接加工�
LMUN5112T1G 廣泛�(yīng)用于對效率和功率密度要求較高的領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用場景:
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器中的高� DC/DC �(zhuǎn)換模��
2. 圖騰柱無� PFC(功率因�(shù)校正)電�,用于提升家電和工業(yè)�(shè)備的能源效率�
3. 消費電子�(chǎn)品的快充適配器,如手�、平板電腦等,支持更高功率輸出的同時保持小型化設(shè)��
4. 通信基站電源中的 DCM � CCM 模式�(zhuǎn)換器�
5. 新能源汽車充電樁中的高頻功率�(zhuǎn)換級�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的開�(guān)電源和電機驅(qū)動控制部分�
LMG3411R030,
LMG3422R030