BSP317PH6327是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的DFN8封裝,能夠提供出色的散熱性能與緊湊的�(shè)計方��
由于其材料特�,BSP317PH6327相比傳統(tǒng)硅基MOSFET在效�、尺寸和熱管理方面具備顯著優(yōu)勀它特別適合用于高頻率DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器以及各類消費電子�(shè)備中的電源管理模塊�
型號:BSP317PH6327
類型:增強型GaN HEMT
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大連續(xù)漏極電流(Id):4 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):170 mΩ(典型��25°C時)
柵極閾值電壓(Vgs(th)):0.8 - 2.0 V
輸入電容(Ciss):1450 pF
輸出電容(Coss):95 pF
反向恢復(fù)電荷(Qrr):�
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
BSP317PH6327的核心優(yōu)勢在于其采用了先�(jìn)的氮化鎵半導(dǎo)體技�(shù),這使其具備以下特點:
1. 高效性:得益于超低的�(dǎo)通電阻和極小的開�(guān)損�,能夠在高頻運行下保持高能效�
2. 快速開�(guān)能力:具備小�5納秒的開啟和�(guān)閉時�,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用場景�
3. 小型化設(shè)計:DFN8封裝使得整體解決方案更加緊湊,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對空間的需��
4. 熱穩(wěn)定性強:即使在較高溫度�(huán)境下也能維持�(wěn)定的電氣性能�
5. 可靠性高:通過了多項嚴(yán)格的可靠性測�,包括高溫存�、反�(fù)循環(huán)操作�,確保長期使用中的耐用性和一致性�
此外,該器件無需體二極管�(jìn)行反向恢�(fù)處理,�(jìn)一步降低了能量損失并提升了系統(tǒng)效率�
BSP317PH6327廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. USB-PD快充適配�
3. LED�(qū)動器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)及消費類AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器
6. 能量回收電路
這款晶體管特別適合要求小型化、輕量化且效率優(yōu)先的�(shè)計項��
BSP316G650,
BSC017N06LS_G,
GAN042-650WSA