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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD16406Q3

CSD16406Q3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:39:56 查看 閱讀�19

CSD16406Q3是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(yōu)化的性能使其成為工業(yè)、汽車及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷�17nC
  開關(guān)�(shí)間:19ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�175°C

特�

CSD16406Q3采用了最新的半導(dǎo)體技�(shù),以�(shí)�(xiàn)卓越的性能�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻:在特定條件下可低�1.5mΩ,從而顯著減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高電流承載能力:能夠支持高達(dá)28A的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)用�
  3. 快速開�(guān):擁有較小的柵極電荷和短開關(guān)�(shí)�,有助于降低開關(guān)損��
  4. 寬工作溫度范圍:可以�-55°C�175°C的范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的需��
  5. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn):經(jīng)�(guò)�(yán)格的車規(guī)�(jí)�(rèn)�,確保了其可靠性與耐用��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
  1. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等�
  2. 工業(yè)�(shè)備:包括開關(guān)電源(SMPS�、DC/DC�(zhuǎn)換器以及逆變器�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:用于筆記本電腦適配器、手�(jī)充電器和其他便攜式設(shè)備中的高效功率管理�
  4. 其他�(yīng)用:還可作為�(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路的一部分使用�

替代型號(hào)

3
  CSD16383Q3
  CSD16384Q3

csd16406q3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd16406q3資料 更多>

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csd16406q3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�2.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24251-6