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BL170N10TB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 19:32:45 查看 閱讀�7

BL170N10TB是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。該器件采用TO-252封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合中低電壓應(yīng)用環(huán)��
  這款MOSFET在設(shè)�(jì)�(shí)著重�(yōu)化了其開(kāi)�(guān)特性和熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài),同�(shí)提供高可靠性和�(zhǎng)壽命�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�6.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.17Ω(典型�,在Vgs=10V條件下)
  柵極電荷�8nC(典型值)
  輸入電容�350pF(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=10ns,toff=20ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

BL170N10TB具備出色的電氣性能和可靠�,以下是其主要特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低功率損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫條件下持�(xù)�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 小巧的TO-252封裝形式,便于PCB布局并節(jié)省空間�
  5. 較高的雪崩擊穿能量耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  7. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,簡(jiǎn)化制造流程并提升生產(chǎn)效率�

�(yīng)�

BL170N10TB適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  5. 汽車電子中的�(fù)載控制和保護(hù)功能�
  6. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)與開(kāi)�(guān)控制�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離和功率傳輸控��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06
  FDP5500
  AO3400