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FGA15N120ANTDTU-F109 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:14:25 查看 閱讀�32

FGA15N120ANTDTU-F109是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件主要適用于高電壓、高頻率開關(guān)�(yīng)�,例如開�(guān)電源、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其額定電壓�1200V,連續(xù)漏極電流�15A,采用TO-247封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)�
  該MOSFET基于先�(jìn)的超�(jié)技�(shù)�(shè)�(jì),能夠顯著降低開�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還具備快速恢�(fù)二極管特�,�(jìn)一步優(yōu)化了高頻性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3Ω(典型��25°C�
  柵極電荷�36nC(典型值)
  輸入電容�2000pF
  總功耗:250W
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-247

特�

這款MOSFET采用了先�(jìn)的超�(jié)�(jié)�(gòu),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和更高的電流密�,從而實(shí)�(xiàn)更高效的功率�(zhuǎn)��
  其快速恢�(fù)體二極管特性減少了反向恢復(fù)�(shí)間,從而降低了開關(guān)損��
  由于其出色的熱性能和電氣性能,該器件非常適合在高電壓和高頻率�(huán)境下�(yùn)��
  另外,F(xiàn)GA15N120ANTDTU-F109還具有較高的雪崩耐量能力,確保在異常條件下也能穩(wěn)定工��

�(yīng)�

FGA15N120ANTDTU-F109廣泛�(yīng)用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 太陽能逆變�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 電磁爐和感應(yīng)加熱�(shè)�
  6. 高壓LED�(qū)�(dòng)�
  7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
  憑借其高電壓承受能力和高效開關(guān)性能,該器件在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可有效提升系統(tǒng)的整體效��

替代型號(hào)

FGA20N120ANTD, IRFP460, STW81N12

fga15n120antdtu-f109推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fga15n120antdtu-f109參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型NPT 和溝�
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)30 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)45 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.4V @ 15V�15A
  • 功率 - 最大�186 W
  • 開關(guān)能量3mJ(開��600μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷120 nC
  • 25°C �(shí) Td(開/�(guān))�15ns/160ns
  • �(cè)試條�600V�15A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)330 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-3P