BD5240G-TR是羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的一款N溝道邏輯電平增強型MOSFET。該器件采用超小型DFN1006-2封裝,適用于需要高效率和節(jié)省空間的�(yīng)用場�。其低導(dǎo)通電阻特性使其在便攜式設(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及各類開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�0.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.8Ω
柵極-源極電壓:�10V
功耗:0.36W
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝形式:DFN1006-2
BD5240G-TR具有以下顯著特點�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計能夠有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 超小型封裝DFN1006-2使得其非常適合于空間受限的PCB布局�
3. 工作溫度范圍寬廣,能夠在多種�(huán)境條件下�(wěn)定運��
4. 高耐壓能力,支持最�60V的漏源電�,增強了其應(yīng)用靈活性�
5. 柵極�(qū)動電壓兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平,簡化了與控制器或其他IC的接口設(shè)��
BD5240G-TR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源及負(fù)載開�(guān)中的電子開關(guān)功能�
2. 各種電池供電的便攜式�(shè)�,例如智能手�、平板電腦和可穿戴設(shè)��
3. 消費類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動和電機控制�
4. 需要低功耗和高效能表�(xiàn)的工�(yè)控制系統(tǒng)�
5. 信號路徑切換及保護電路設(shè)��
BD5230G-TR