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BD5240G-TR 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 1:07:31 查看 閱讀�10

BD5240G-TR是羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的一款N溝道邏輯電平增強型MOSFET。該器件采用超小型DFN1006-2封裝,適用于需要高效率和節(jié)省空間的�(yīng)用場�。其低導(dǎo)通電阻特性使其在便攜式設(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及各類開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�0.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.8Ω
  柵極-源極電壓:�10V
  功耗:0.36W
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  封裝形式:DFN1006-2

特�

BD5240G-TR具有以下顯著特點�
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計能夠有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 超小型封裝DFN1006-2使得其非常適合于空間受限的PCB布局�
  3. 工作溫度范圍寬廣,能夠在多種�(huán)境條件下�(wěn)定運��
  4. 高耐壓能力,支持最�60V的漏源電�,增強了其應(yīng)用靈活性�
  5. 柵極�(qū)動電壓兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平,簡化了與控制器或其他IC的接口設(shè)��

�(yīng)�

BD5240G-TR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源及負(fù)載開�(guān)中的電子開關(guān)功能�
  2. 各種電池供電的便攜式�(shè)�,例如智能手�、平板電腦和可穿戴設(shè)��
  3. 消費類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動和電機控制�
  4. 需要低功耗和高效能表�(xiàn)的工�(yè)控制系統(tǒng)�
  5. 信號路徑切換及保護電路設(shè)��

替代型號

BD5230G-TR

bd5240g-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bd5240g-tr資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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bd5240g-tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(jiān)控器
  • 系列-
  • 類型簡單�(fù)�/加電�(fù)�
  • �(jiān)視電壓數(shù)�1
  • 輸出開路漏極或開路集電極
  • �(fù)�低有�
  • �(fù)位超�-
  • 電壓 - 閥�4V
  • 工作溫度-40°C ~ 105°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TFSOP�0.063"�1.60mm 寬)�5 引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�5-SSOP
  • 包裝帶卷 (TR)