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FQP7N80C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 18:13:56 查看 閱讀�25

FQP7N80C 是一� N 灃道� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高電壓和中等功率的應(yīng)用場�。該器件采用 TO-220 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠有效地控制電流的開�(guān)狀�(tài)�
  其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各種需要高效電能轉(zhuǎn)換的場合�

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�7A
  柵極閾值電壓:3V � 6V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  功耗:9W
  �(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

FQP7N80C 的主要特�(diǎn)是其高擊穿電壓(800V�,這使得它非常適合于高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)用�
  其次,該器件具備較低的導(dǎo)通電阻(4.5Ω,在 Vgs=10V �(shí)�,從而減少了功率損耗并提高了效��
  此外,TO-220 封裝提供了良好的散熱性能,使其能夠在較高功率下穩(wěn)定運(yùn)��
  FQP7N80C 的柵極閾值電壓范圍為 3V � 6V,確保了與大多數(shù)邏輯電路兼容,便于集成到不同的系�(tǒng)�(shè)�(jì)中�
  最�,這款 MOSFET 具有快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,�(jìn)一步提升系�(tǒng)的整體效��

�(yīng)�

FQP7N80C 廣泛�(yīng)用于多種電子�(shè)備中,特別是在需要處理高電壓的場景下表現(xiàn)�(yōu)異�
  常見的應(yīng)用包括但不限于:開關(guān)電源(SMPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、逆變器模�、DC-DC �(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制以及太陽能逆變器等�
  由于其高耐壓特性和低導(dǎo)通電�,F(xiàn)QP7N80C 在需要頻繁開�(guān)操作且對效率要求較高的場合尤為適��

替代型號

FQPF7N80C, IRF740, STP7NK80Z

fqp7n80c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價(jià)

fqp7n80c資料 更多>

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fqp7n80c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 歐姆 @ 3.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
  • 功率 - 最�167W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件