FQP7N80C 是一� N 灃道� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高電壓和中等功率的應(yīng)用場�。該器件采用 TO-220 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠有效地控制電流的開�(guān)狀�(tài)�
其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各種需要高效電能轉(zhuǎn)換的場合�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�7A
柵極閾值電壓:3V � 6V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
功耗:9W
�(jié)溫范圍:-55� � +150�
FQP7N80C 的主要特�(diǎn)是其高擊穿電壓(800V�,這使得它非常適合于高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)用�
其次,該器件具備較低的導(dǎo)通電阻(4.5Ω,在 Vgs=10V �(shí)�,從而減少了功率損耗并提高了效��
此外,TO-220 封裝提供了良好的散熱性能,使其能夠在較高功率下穩(wěn)定運(yùn)��
FQP7N80C 的柵極閾值電壓范圍為 3V � 6V,確保了與大多數(shù)邏輯電路兼容,便于集成到不同的系�(tǒng)�(shè)�(jì)中�
最�,這款 MOSFET 具有快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,�(jìn)一步提升系�(tǒng)的整體效��
FQP7N80C 廣泛�(yīng)用于多種電子�(shè)備中,特別是在需要處理高電壓的場景下表現(xiàn)�(yōu)異�
常見的應(yīng)用包括但不限于:開關(guān)電源(SMPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、逆變器模�、DC-DC �(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制以及太陽能逆變器等�
由于其高耐壓特性和低導(dǎo)通電�,F(xiàn)QP7N80C 在需要頻繁開�(guān)操作且對效率要求較高的場合尤為適��
FQPF7N80C, IRF740, STP7NK80Z