時間：2025/5/26 21:32:10
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GA0603A5R6CBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于開關電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用。該器件采用了先進的半導體工藝技術，具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能。
該型號屬于溝道增強型 MOSFET 系列，其封裝形式為 TO-247-3L，適合高電流和高電壓的應用場景。它能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
額定電壓：600V
額定電流：31A
導通電阻：0.056Ω
柵極電荷：95nC
輸入電容：1450pF
最大功耗：280W
結溫范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0603A5R6CBBAR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少導通損耗，提升整體效率。
2. 高速開關能力，適用于高頻開關應用。
3. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下可靠運行。
4. 提供了較強的過流保護和抗浪涌能力。
5. 具備優(yōu)異的雪崩能量吸收能力，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
該芯片廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動和逆變器。
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)。
4. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和牽引逆變器。
5. 各類負載切換和保護電路。
GA0603A5R6CBBAR25G
IRFP460
FDP18N60
