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AOD418 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 18:36:32 查看 閱讀:11

AOD418是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和良好的熱性能。其封裝形式通常為T(mén)O-252(DPAK),適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等。
  AOD418以其出色的電氣特性和可靠性成為設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)選方案之一,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:10A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):30mΩ
  柵極電荷:22nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=19ns,toff=37ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃

特性

AOD418具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 較小的封裝尺寸,有助于節(jié)省PCB板空間。
  4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐用性,確保在嚴(yán)苛條件下長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
  5. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

AOD418廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子設(shè)備中,主要應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電平轉(zhuǎn)換。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
  4. 各種負(fù)載切換電路,例如汽車(chē)電子系統(tǒng)中的繼電器替代。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與功率傳輸部分。

替代型號(hào)

AO3400
  IRLZ44N
  FQP30N06L

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aod418參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13.5A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252
  • 包裝帶卷 (TR)