FDG8842CZ是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝技�(shù),具有出色的電氣特性和可靠�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
這款MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度著稱,能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�12V
持續(xù)漏極電流(Id)�26A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5.5mΩ
柵極電荷(Qg)�27nC
總功�(Ptot)�120W
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
FDG8842CZ具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件具有高雪崩能量能力,增�(qiáng)了其在異常條件下的耐受能力�
此外,它還擁有快速開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
其封裝形式緊�,有助于減少PCB空間占用,同�(shí)提高了散熱性能�
FDG8842CZ符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保了�(huán)保要��
該MOSFET適用于多種領(lǐng)�,包括但不限于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)電路等應(yīng)��
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,它可用于筆記本電腦適配器、平板電腦充電器和智能家電等�(chǎn)��
在工�(yè)�(lǐng)域,F(xiàn)DG8842CZ可用于工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備、可編程邏輯控制�(PLC)及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)�
此外,在汽車電子�(lǐng)域,該器件也可用于車載充電器、LED�(qū)�(dòng)器和電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)��
IRF3710, FDP5500, STP26NF06L