6TPE100MAZB 是一款基� SiC(碳化硅)技�(shù)的功� MOSFET 芯片,專為高效率和高頻率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,使其非常適合于工業(yè)電源、太陽能逆變�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
6TPE100MAZB 的主要特�(diǎn)是其卓越的熱性能和耐用�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。此�,由于采用了先�(jìn)的封裝工藝,這款芯片能夠提供更高的電流密度和更低的寄生電��
額定電壓�1200V
額定電流�100A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
最大工作溫度:175°C
柵極閾值電壓:3V~6V
總功耗:300W
開關(guān)速度:非常快
封裝形式:TO-247-3
6TPE100MAZB 的核心特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高效開關(guān)性能:得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,該器件能夠在高頻條件下保持低損�,從而提高整體系�(tǒng)的效率�
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 4.5mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損�,特別是在大電流�(yīng)用中�(yōu)勢明顯�
3. 高溫適應(yīng)能力:支持高�(dá) 175°C 的結(jié)溫操�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
4. 快速恢�(fù)�(shí)間:短的開關(guān)�(shí)間減少了�(dòng)�(tài)損�,�(jìn)一步提升了能效表現(xiàn)�
5. �(wěn)定性強(qiáng):具備良好的抗電磁干擾能力和耐浪涌沖擊特�,適用于�(fù)雜的電氣�(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如:工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)、光伏并�(wǎng)逆變�、電�(dòng)車車載充電機(jī) (OBC) 和充電樁模塊、高壓電�(jī)控制器以及其他高功率密度系統(tǒng)。同�(shí),它也適合用于對體積和重量敏感的�(yīng)用場�,因?yàn)槠涓咝У男阅芸梢詼p少散熱器的需��
6TPE120MAZB, 6TPE80MAZB