60N03是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,適用于中等功率�(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-220或DPAK,能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�3A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ
總功耗:80W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
60N03具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能�,提升可靠��
4. 小尺寸封裝,便于電路板布局�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
這些特點(diǎn)使其在多種電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效能和小體積的場(chǎng)��
60N03適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關(guān)元件�
3. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
由于其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,這款MOSFET特別適合需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的場(chǎng)��
60N03L, IRFZ44N, FDP5570