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NV1206B152K202CEGN 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 11:06:38 查看 閱讀�9

NV1206B152K202CEGN 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,適合在高頻和高效率的應(yīng)用場景中使用�
  這款 MOSFET 通常被用作電源管理中的核心元�,廣泛適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)等電路設(shè)�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-252(DPAK),具備良好的電氣連接和散熱性能�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�139A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�17W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  輸入電容(Ciss)�4580pF

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),確保在大電流應(yīng)用中有更低的功耗和更高的效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操�,非常適合開�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用場��
  3. 較高的漏源擊穿電壓(60V�,提供足夠的安全裕度以應(yīng)對瞬�(tài)電壓尖峰�
  4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�,提升了散熱性能,允許更大的功率輸出�
  5. 具備出色的雪崩能力和 ESD 保護(hù)功能,增強了器件的可靠性和耐用��
  6. 小型化封裝與高效能結(jié)合,使它成為緊湊型設(shè)計的理想選擇�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率級控制�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流器�
  3. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和電機驅(qū)��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和逆變電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)和切換電��
  6. LED �(qū)動器和其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

NV1206B152K202CEG, IRF1405ZPBF, AON7612

nv1206b152k202cegn推薦供應(yīng)� 更多>

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