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2N7002P,215 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 0:41:10 查看 閱讀�11

2N7002P 是一� N 治道金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS FET�,廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的線性特�,適用于信號(hào)切換、負(fù)載驅(qū)�(dòng)和電源管理等�(yīng)用。其封裝形式多樣,能夠滿足不同的�(shè)�(jì)需��2N7002P 的工作電壓范圍較廣,能夠承受較高的漏源極電壓,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��
  215可能是與之相�(guān)的編�(hào)或附加信�,但并非�(biāo)�(zhǔn)的元器件型號(hào)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:200mA
  �(dǎo)通電阻:1.8Ω
  功耗:400mW
  �150�

特�

2N7002P 是一款小型高� NMOS �(chǎng)效應(yīng)晶體�,主要特�(diǎn)如下�
  1. 高開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻確保在大電流下的高效運(yùn)行�
  3. 具備良好的靜電防�(hù)能力,增�(qiáng)了器件的�(wěn)定��
  4. 工作電壓范圍寬,支持多種電壓等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)��
  5. 小型化封裝使其易于集成到緊湊型設(shè)�(jì)中�
  這些特點(diǎn)使得該晶體管在便攜式�(shè)�、消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品以及工�(yè)控制�(lǐng)域中表現(xiàn)�(yōu)異�

�(yīng)�

2N7002P 廣泛�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流電路�
  2. �(fù)載開(kāi)�(guān)及保�(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�
  3. �(shù)字邏輯電路中的信�(hào)切換�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  5. 各種音頻�(shè)備中的靜音控��
  由于其出色的電氣性能和可靠性,這款晶體管成為許多工程師的首選解決方��

替代型號(hào)

2N7000, BSS138, PMV20UN

2n7002p,215推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

2n7002p,215參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C360mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-236AB
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱568-5818-6