集成電路(integrated circuit,港臺稱之為積體電路)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需�晶體��二極��電阻�電容和電感等元件及布線互連一�,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結�;其中所有元件在結構上已組成一個整體,這樣,整個電路的體積大大縮小,且引出線和焊接點的數目也大為減�,從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步� 它在電路中用字母“IC”(也有用文字符號“N”等)表示�
集成電路具有體積�,重量輕,引出線和焊接點少,壽命�,可靠性高,性能好等�(yōu)�,同時成本低,便于大�(guī)模生�。用集成電路來裝配電子設�,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設備的穩(wěn)定工作時間也可大大提��
ic集成電路不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用,同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用�
一、集成電路按其功�、結構的不同,可以分為模擬集成電�、數字集成電路和�/模混合集成電路三大類�
模擬集成電路又稱線性電�,用來產生、放大和處理各種模擬信號(指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),其輸入信號和輸出信號成比例關��
數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號(指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號)�
�、按集成度高低不同,可分為小�(guī)�、中�(guī)�、大�(guī)模及超大�(guī)模集成電路四類�
對模擬集成電�,由于工藝要求較高、電路又較復雜,所以一般認為集�50個以下元器件為小�(guī)模集成電�,集�50�100個元器件為中�(guī)模集成電路,集成100個以上的元器件為大規(guī)模集成電��
對數字集成電路,一般認為集�1�10等效門/片�10�100個元件/片為小規(guī)模集成電�,集�10�100個等效門/片�100�1000元件/片為中�(guī)模集成電路,集成100�10,000個等效門/片�1000�100,000個元件/片為大規(guī)模集成電�,集�10,000以上個等效門/片�100,000以上個元件/片為超大�(guī)模集成電路�
�、按其制作工藝不�,可分為半導體集成電�、膜集成電路和混合集成電路三��
半導體集成電路是采用半導體工藝技�,在硅基片上制作包括電阻、電容、三極管、二極管等元器件并具有某種電路功能的集成電路;膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上,以“膜”的形式制作電阻、電容等無源器件。無源元件的數值范圍可以作得很寬,精度可以作得很高。但目前的技術水平尚無法用“膜”的形式制作晶體二極�、三極管等有源器�,因而使膜集成電路的應用范圍受到很大的限制。在實際應用中,多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極管、三極管等有源器件,使之構成一個整�,這便是混合集成電路。根據膜的厚薄不�,膜集成電路又分為厚膜集成電路(膜厚�1μm�10μm)和薄膜集成電路(膜厚為1μm以下)兩�。在家電維修和一般性電子制作過程中遇到的主要是半導體集成電�、厚膜電路及少量的混合集成電��
�、按導電類型不同,分為雙極型集成電路和單極型集成電路兩類�
雙極型集成電路頻率特性好,但功耗較大,而且制作工藝復雜,絕大多數模擬集成電路以及數字集成電路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型屬于這一類�
單極型集成電路工作速度�,但輸人阻抗高、功耗小、制作工藝簡單、易于大�(guī)模集�,其主要產品為MOS型集成電�。MOS電路又分為NMOS、PMOS、CMOS��
�1)NMOS集成電路是在半導體硅片上,以N型溝道MOS器件構成的集成電�;參加導電的是電子�
?�?)PMOS型是在半導體硅片�,以P型溝道MOS器件構成的集成電路;參加導電的是空穴�
?�?)CMOS型是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構成的集成電路稱為互補型MOS集成電路,簡寫成CMOS集成電路�
�、按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電�、錄像機用集成電路、電腦(微機)用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電�、照相機用集成電路、遙控集成電�、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路�
1.電視機用集成電路包括�、場掃描集成電路、中放集成電�、伴音集成電路、彩色解碼集成電�、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電�、遙控集成電路、麗音解碼集成電�、畫中畫處理集成電路、微處理器(CPU)集成電�、存儲器集成電路��
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電�、立體聲解碼電路、音頻前置放大電�、音頻運算放大集成電�、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅動集成電�,電子音量控制集成電�、延時混響集成電�、電子開關集成電路等�
3.影碟機用集成電路有系�(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電�、音響效果集成電�、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電�、伺服集成電�、電動機驅動集成電路��
4.錄像機用集成電路有系�(tǒng)控制集成電路、伺服集成電�、驅動集成電路、音頻處理集成電�、視頻處理集成電路�
�、按應用領域分可分為標準通用集成電路和專用集成電路�
�、按外形分可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(�(wěn)定性好,體積�)和雙列直插型�
1、BGA
BGA的全稱是Ball Grid Array(球柵陣列結構的PCB),它是集成電路采用有機載板的一種封裝法。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引�,在印刷基板的正面裝配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封�� 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)�。例�,引腳中心距�1.5mm�360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距�0.5mm�304引腳QFP�40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問�� 該封裝是美國Motorola公司開發(fā)�,首先在便攜式電話等設備中被采用,今后在美國有可能在個人計算機中普及。最�,BGA 的引�(凸點)中心距為1.5mm,引腳數�225。現在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA� BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?,F在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認�,由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩(wěn)定的,只能通過功能檢查來處�。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)�
�(yōu)點:①封裝面積減�;②功能加大,引腳數目增�;③PCB板溶焊時能自我居中,易上�;④可靠性高;⑤電性能�,整體成本低�
2、BQFP
(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖�)以防止在運送過程中引腳�(fā)生彎曲變彀美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封�。引腳中心距0.635mm,引腳數�84�196左右(見QFP)�
3、C�
(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例�,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號�
4、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封�,用于ECL RAM,DSP(數字信號處理�)等電�。帶有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數�8�42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意�)�
5、Cerquad
表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP�,在自然空冷條件下可容許1.5�2W的功率。但封裝成本比塑料QFP�3�5�。引腳中心距�1.27mm�0.8mm�0.65mm� 0.5mm� 0.4mm等多種規(guī)�。引腳數�32�368�
帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引�,呈丁字�� 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)�
6、COB
(chip on board)
板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板�,芯片與 � 板的電氣連接用引線縫合方法實�,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,并用 樹脂� 蓋以�??煽�?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技�,但它的封裝密度遠不如TAB � 倒片 焊技��
7、DFP
(dual flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別�(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不��
8、DIC
(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密�)的別�(見DIP).
9、DIL
(dual in-line)
DIP的別�(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱�
10、DIP
(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩� � DIP 是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等� 引腳中心�2.54mm,引腳數�6 �64。封裝寬度通常�15.2mm。有的把寬度�7.52mm �10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加 區(qū)�� 只簡單地�(tǒng)稱為DIP。另�,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)�
11、DSO
(dual small out-lint)
雙側引腳小外形封�。SOP 的別�(見SOP)。部分半導體廠家采用此名��
12、DICP (dual tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常�。常用于液晶顯示驅動LSI,但多數� 定制�。另��0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開�(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子� 械工 �(yè))會標準規(guī)�,將DICP命名為DTP�
13、DIP
(dual tape carrier package)
日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命�(見DTCP)�
14、FP
(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別�。部分半導體廠家� 用此名稱�
15、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點,然后把金屬凸 � 與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所� 封裝技 術中體積最�、最薄的一�� 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同,就會在接合處產生反�,從而影響連接的可 � �。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料�
16、FQFP
(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家� 用此名稱�
17、CPAC
(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別�(見BGA)�
18、CQFP
(quad fiat package with guard ring)
帶保護環(huán)的四側引腳扁平封�。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護�(huán)掩蔽,以防止彎曲� 彀� 在把LSI 組裝在印刷基板上之前,從保護�(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)� 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生�。引腳中心距0.5mm,引腳數最多為208 左右�
19、H-
(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例�,HSOP 表示帶散熱器的SOP�
20、pin grid array
(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝,引腳長�3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引�,其長度�1.5mm �2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方�,因� 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA 小一半,所以封裝本體可制作� � 怎么�,而引腳數比插裝型�(250�528),是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材� 多層� 瓷基板和玻璃�(huán)氧樹脂印刷基�。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化�
21、JLCC
(J-leaded chip carrier)
J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別�(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家采用的名��
22、LCC
(Leadless chip carrier)
無引腳芯片載�。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 � 速和高頻IC 用封�,也稱為陶瓷QFN 或QFN-C(見QFN)�
23、LGA
(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀�(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F � 實用的有227 觸點(1.27mm 中心�)�447 觸點(2.54mm 中心�)的陶瓷LGA,應用于高� 邏輯 LSI 電路� LGA 與QFP 相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引�。另�,由于引線的� � �,對于高速LSI 是很適用�。但由于插座制作復雜,成本高,現在基本上不怎么使用 。預� 今后對其需求會有所增加�
24、LOC
(lead on chip)
芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結�,芯� � 中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面 附近� 結構相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度�
25、LQFP
(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度�1.4mm 的QFP,是日本電子機械工業(yè)會根據制定的新QFP 外形�(guī)格所用的名稱�
26、L-QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁�7�8 倍,具有較好的散熱�� 封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一� 封裝� 在自然空冷條件下可容許W3的功�?,F已開�(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心�)�160 引腳 (0.65mm 中心�)的LSI 邏輯用封�,并�1993 �10 月開始投入批量生��
27、MCM
(multi-chip module)
多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封�。根據基板材料可 � 為MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大類� MCM-L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么�,成本較� � MCM-C 是用厚膜技術形成多層布�,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L�
MCM-D 是用薄膜技術形成多層布線,以陶�(氧化鋁或氮化�)或Si、Al 作為基板的組 �� 布線密謀在三種組件中是的,但成本也高�
28、MFP
(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別�(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名��
29、MQFP
(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員�)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm�2.0mm 的標準QFP(見QFP)�
30、MQUAD
(metal quad)
美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?;迮c封蓋均采用鋁�,用粘合劑密�。在自然� � 條件下可容許2.5W�2.8W 的功�。日本新光電氣工�(yè)公司�1993 年獲得特許開始生� �
31、MSP
(mini square package)
QFI 的別�(見QFI),在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工�(yè)會規(guī)定的名稱�
32、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名�(� BGA)�
33、P�
(plastic)
表示塑料封裝的記�。如PDIP 表示塑料DIP�
34、PAC
(pad array carrier)
凸點陳列載體,BGA 的別�(見BGA)�
35、PCLP
(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名�(見QFN)。引腳中心距�0.55mm�0.4mm兩種�(guī)�。目前正處于開發(fā)階段�
36、PFPF
(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別�(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名��
37、PGA
(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基�。在未專門表示出材料名稱的情況�,多數為陶瓷PGA,用于高速大�(guī)� 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常�2.54mm,引腳數�64 �447 左右。了為降低成�,封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代�。也�64�256引腳的塑料PGA� 另外,還有一種引腳中心距�1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)�(見表面貼裝型PGA)�
38、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封�,形關與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機的設備時用于評價程序確認操作。例�,將EPROM插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定制品,市場上不怎么流通�
39、PLCC
(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形 � 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM �256kDRAM 中采�,現在已� � 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電�。引腳中心距1.27mm,引腳數�18 �84� J 形引腳不易變�,比QFP 容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難� PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以�,兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但� 在已經出現用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封�(標記為塑料LCC、PC LP、P -LCC �),已經無法分�。為此,日本電子機械工業(yè)會于1988 年決�,把從四側引� J 形引 腳的封裝稱為QFJ,把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)�
40、P-LCC
(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別�,有時候是QFN(塑料LCC)的別�(見QFJ 和QFN)。部�
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝,用P-LCC 表示無引線封�,以示區(qū)��
41、QFH
(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一�,為了防止封裝本體斷裂,QFP 本體制作� 較厚(見QFP)。部分半導體廠家采用的名��
42、QFI
(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出,向下呈I � � 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分,貼裝占有面 積小 于QFP� 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數�18 �68�
43、QFJ
(quad flat J-leaded package)
四側J形引腳扁平封�。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引�,向下呈J字形。是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm�
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC),用于微�、門陳列� DRAM、ASSP、OTP 等電�。引腳數�18�84�
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機芯片電�。引腳數�32 �84�
44、QFN
(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?,F在多稱為LCC。QFN是日本電子機械工�(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四側配置有電極觸點,由于無引腳,貼裝占有面積比QFP小,高度比QFP�。但�,當印刷基板與封裝之間產生應力時,在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多,一般從14�100左右� 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm�
塑料QFN 是以玻璃�(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距�1.27mm �,還�0.65mm �0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC ��
45、QFP
(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個側面引出呈海鷗�(L)�?;�?� �、金屬和塑料三種。從數量上看,塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時� 多數� 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器,門陳列等數� 邏輯LSI 電路,而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 �1.0mm�0.8mm� 0.65mm�0.5mm�0.4mm�0.3mm 等多種規(guī)格�0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數�304�
日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業(yè)會對QFP 的外形規(guī)格進行了重新評�。在引腳中心距上不加區(qū)別,而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm�3.6mm �)、LQFP(1.4mm �)和TQFP(1.0mm �)三種�
另外,有的LSI 廠家把引腳中心距�0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP� 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm �0.4mm 的QFP 也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混� � QFP 的缺點是,當引腳中心距小�0.65mm �,引腳容易彎�。為了防止引腳變形,現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP);帶樹脂 保護 �(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP);在封裝本體里設置測試凸�、放在防止引腳變形的� 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)� 在邏輯LSI 方面,不少開�(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問�。此�,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)�
46、QFP
(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工�(yè)會標準所�(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm�0.4mm � 0.3mm 等小�0.65mm 的QFP(見QFP)�
47、QIC
(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別�。部分半導體廠家采用的名�(見QFP、Cerquad)�
48、QIP
(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別�。部分半導體廠家采用的名�(見QFP)�
49、QTCP
(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一,在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引�。是� � TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)�
50、QTP
(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工�(yè)會于1993 �4 月對QTCP 所制定的外形規(guī)格所� � 名稱(見TCP)�
51、QUIL
(quad in-line)
QUIP 的別�(見QUIP)�
52、QUIP
(quad in-line package)
四列引腳直插式封�。引腳從封裝兩個側面引�,每隔一根交錯向下彎曲成四列。引� � 心距1.27mm,當插入印刷基板�,插入中心距就變�2.5mm。因此可用于標準印刷線路� 。是 比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采 用了� 種封�。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64�
53、SDIP
(shrink dual in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心�(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)�
因而得此稱�。引腳數�14 �90。也有稱為SH-DIP �。材料有陶瓷和塑料兩種�
54、SH-DIP
(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱�
55、SIL
(single in-line)
SIP 的別�(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱�
56、SIMM
(single in-line memory module)
單列存貯器組�。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 � 的組�。標準SIMM 有中心距�2.54mm �30 電極和中心距�1.27mm �72 電極兩種�(guī)� � 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝�1 兆位�4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人 計算�、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30�40%的DRAM 都裝配在SIMM ��
57、SIP
(single in-line package)
單列直插式封�。引腳從封裝一個側面引�,排列成一條直線。當裝配到印刷基板上� � 裝呈側立狀。引腳中心距通常�2.54mm,引腳數�2 �23,多數為定制產品。封裝的� 狀� �。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP�
58、SK-DIP
(skinny dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度�7.62mm、引腳中心距�2.54mm 的窄體DIP。通常�(tǒng)稱為DIP(� DIP)�
59、SL-DIP
(slim dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度�10.16mm,引腳中心距�2.54mm 的窄體DIP。通常�(tǒng)稱為DIP�
60、SMD
(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶而,有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)�
SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別��(見SOP)�
61、SOI
(small out-line I-leaded package)
I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形,中� � 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中采用了此封�。引 腳數 26�
62、SOIC
(small out-line integrated circuit)
SOP 的別�(見SOP)。國外有許多半導體廠家采用此名稱�
63、SOJ
(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形,故� 得名� 通常為塑料制品,多數用于DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路,但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM �。引腳中心距1.27mm,引腳數�20 �40(見SIMM )�
64、SQL
(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員�)標準對SOP 所采用的名�(見SOP)�
65、SONF
(Small Out-Line Non-Fin)
無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區(qū)別,有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家采用的名�(見SOP)�
66、SOP
(small Out-Line package)
小外形封�。表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩�。另外也叫SOL 和DFP�
SOP 除了用于存儲器LSI �,也廣泛用于�(guī)模不太大的ASSP 等電�。在輸入輸出端子� 超過10�40 的領�,SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數�8 �44�
另外,引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP;裝配高度不�1.27mm 的SOP 也稱� TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP�
67、SOW
(Small Outline Package(Wide-Jype))
寬體SOP。部分半導體廠家采用的名��
1.世界集成電路的發(fā)展歷�
1947年:貝爾實驗室肖特萊等人�(fā)明了晶體�,這是微電子技術發(fā)展中個里程碑�
1950年:結型晶體管誕��
1950年: R Ohl和肖特萊�(fā)明了離子注入工藝�
1951年:場效應晶體管�(fā)��
1956年:C S Fuller�(fā)明了擴散工藝�
1958年:仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發(fā)明了集成電路,開�(chuàng)了世界微電子學的歷史�
1960年:H H Loor和E Castellani�(fā)明了光刻工藝�
1962年:美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管�
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術,今天�95[%]以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝�
1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預測晶體管集成度將會每18個月增加1��
1966年:美國RCA公司研制出CMOS集成電路,并研制出塊門陣列�50門��
1967年:應用材料公司(Applied Materials)成立,現已成為全球的半導體設備制造公��
1971年:Intel推出1kb動態(tài)隨機存儲器(DRAM�,標志著大規(guī)模集成電路出現;
1971年:個微處理�4004由Intel公司推出,采用的是MOS工藝,這是一個里程碑式的�(fā)明;
1974年:RCA公司推出個CMOS微處理器1802�
1976年:16kb DRAM�4kb SRAM問世�
1978年:64kb動態(tài)隨機存儲器誕�,不�0.5平方厘米的硅片上集成�14萬個晶體管,標志著超大�(guī)模集成電路(VLSI)時代的來臨�
1979年:Intel推出5MHz 8088微處理器,之�,IBM基于8088推出臺PC�
1981年:256kb DRAM�64kb CMOS SRAM問世�
1984年:日本宣布推出1Mb DRAM�256kb SRAM�
1985年:80386微處理器問世�20MHz�
1988年:16M DRAM問世�1平方厘米大小的硅片上集成�3500萬個晶體管,標志著進入超大�(guī)模集成電路(VLSI)階��
1989年:1Mb DRAM進入市場�
1989年:486微處理器推出�25MHz�1μm工藝,后�50MHz芯片采用 0.8μm工藝�
1992年:64M位隨機存儲器問世�
1993年:66MHz奔騰處理器推�,采用0.6μm工��
1995�:Pentium Pro, 133MHz,采�0.6-0.35μm工��
1997年:300MHz奔騰Ⅱ問�,采用0.25μm工��
1999年:奔騰Ⅲ問世,450MHz,采�0.25μm工�,后采用0.18μm工藝�
2000�: 1Gb RAM投放市場�
2000年:奔騰4問世�1.5GHz,采�0.18μm工��
2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工��
2003年:奔騰4 E系列推出,采�90nm工藝�
2005年:intel 酷睿2系列上市,采�65nm工藝�
2007年:基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市�
2009年:intel酷睿i系列全新推出,創(chuàng)紀錄采用了�32納米工藝,并且下一�22納米工藝正在研發(fā)�
2.我國集成電路的發(fā)展歷�
我國集成電路產業(yè)誕生于六十年代,共經歷了三個發(fā)展階段:
1965�-1978年:以計算機和軍工配套為目標,以開發(fā)邏輯電路為主要產 �,初步建立集成電路工�(yè)基礎及相關設備、儀�、材料的配套條件�
1978�-1990年:主要引進美國二手設�,改善集成電路裝備水�,在“治散治亂”的同時,以消費類整機作為配套重點,較好地解決了彩電集成電路的國產化�
1990�-2000年:�908工程�909工程為重點,以CAD為突破口,抓好科技攻關和北方科研開�(fā)基地的建�,為信息產業(yè)服務,集成電路行�(yè)取得了新的發(fā)��
一、不在路檢測
這種方法是在ic未焊入電路時進行�,一般情況下可用萬用表測量各引腳對應于接地引腳之間的�、反向電阻�,并和完好的ic進行 ��
二、在路檢�
這是一種通過萬用表檢測ic各引腳在路(ic在電路中)直流電�、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗法需要有可代換ic的局限性和拆卸ic的麻�,是檢測ic最常用和實用的方法�
1.直流工作電壓測�
這是一種在通電情況�,用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進行測量;檢測ic各引腳對地直流電壓值,并與正常值相�,進而壓縮故障范�,出損壞的元�。測量時要注意以下八點:
(1)萬用表要有足夠大的內�,少要大于被測電路電阻的10倍以�,以免造成較大的測量誤��
(2)通常把各電位器旋到中間位�,如果是電視�,信號源要采用標準彩條信號發(fā)生器�
(3)表筆或探頭要采取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞ic??刹扇∪缦路椒ǚ乐贡砉P滑動:取一段自行車用氣門芯套在表筆尖�,并長出表筆尖約0.5mm左右,這既能使表筆尖良好地與被測試點接�,又能有效防止打�,即使碰上鄰近點也不會短��
(4)當測得某一引腳電壓與正常值不符時,應根據該引腳電壓對ic正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析,能判斷ic的好��
(5)ic引腳電壓會受外圍元器件影響。當外圍元器件發(fā)生漏電、短�、開路或變值時,或外圍電路連接的是一個阻值可變的電位�,則電位器滑動臂所處的位置不同,都會使引腳電壓�(fā)生變��
(6)若ic各引腳電壓正�,則一般認為ic正常;若ic部分引腳電壓異常,則應從偏離正常值處入手,檢查外圍元件有無故�,若無故�,則ic很可能損��
(7)對于動態(tài)接收裝置,如電視機,在有無信號時,ic各引腳電壓是不同的。如�(fā)現引腳電壓不該變化的反而變化大,該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化,就可確定ic損壞�
(8)對于多種工作方式的裝置,如錄像機,在不同工作方式�,ic各引腳電壓也是不同的�
2.交流工作電壓測量法
為了掌握ic交流信號的變化情�,可以用帶有db插孔的萬用表對ic的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置于交流電壓擋,正表筆插入db插孔;對于無db插孔的萬用表,需要在正表筆串接一�0.1�0.5μf隔直電�。該法適用于工作頻率較低的ic,如電視機的視頻放大�、場掃描電路�。由于這些電路的固有頻率不同,波形不同,所以所測的數據是近似�,只能供參考�
3.總電流測量�
該法是通過檢測ic電源進線的總電流,來判ic好壞的一種方�。由于ic內部絕大多數為直接耦合,ic損壞時(如某一個PN結擊穿或開路)會引起后級飽和與截�,使總電流發(fā)生變�。所以通過測量總電流的方法可以判ic的好�。也可用測量電源通路中電阻的電壓降,用歐姆定律計算出總電流��
近幾年,中國集成電路產業(yè)取得了飛速發(fā)�。中國集成電路產�(yè)已經成為全球半導體產�(yè)關注的焦點,即使在全球半導體產業(yè)陷入有史以來程度最嚴重的低迷階段時,中國集成電路市場仍保持了兩位數的年增長�,憑借巨大的市場需求、較低的生產成本、豐富的人力資源,以及經濟的�(wěn)定發(fā)展和寬松的政策環(huán)境等眾多�(yōu)勢條�,以京津唐地區(qū)、長江三角洲地區(qū)和珠江三角洲地區(qū)為代表的產業(yè)基地迅速發(fā)展壯�,制造業(yè)、設計業(yè)和封裝業(yè)等集成電路產�(yè)各環(huán)節(jié)逐步完善�
2006年中國集成電路市場銷售額�4862.5億元,同比增�27.8[%]。其中IC設計�(yè)年銷售額�186.2億元,比2005年增�49.8[%]�
2007年中國集成電路產�(yè)�(guī)模達�1251.3億元,同比增�24.3[%],集成電路市場銷售額�5623.7億元,同比增�18.6[%]。而計算機類、消費類、網絡通信類三大領域占中國集成電路市場�88.1[%]�
目前,中國集成電路產�(yè)已經形成了IC設計、制造、封裝測試三�(yè)及支撐配套業(yè)共同�(fā)展的較為完善的產�(yè)鏈格局,隨著IC設計和芯片制造行�(yè)的迅猛發(fā)展,國內集成電路價值鏈格局繼續(xù)改變,其總體趨勢是設計業(yè)和芯片制造業(yè)所占比例迅速上升�
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