貼片晶振是表貼式的石英晶體,常用于精電子�(chǎn)品上;貼片晶振的體積要比直插的晶振體積小很多。工藝相對復(fù)雜很�
?、笨傤l差:在規(guī)定的�(shí)間內(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩�頻率與給定標(biāo)稱頻率的頻差�
說明:總頻差包括頻率溫度�(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn)
定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的頻�。一般只在對短期頻率�(wěn)定度�(guān)心,而對其他�
率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場合采用。例如:精密制導(dǎo)雷達(dá)�
?�?頻率溫度�(wěn)定度:在�(biāo)稱電源和�(fù)載下,工作在�(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基�(zhǔn)溫度
或帶隱含基準(zhǔn)溫度的允許頻��
fT=±(fmax-fmin�/(fmax+fmin�
fTref =±MAX[|(fmax-fref�/fref|,|(fmin-fref�/fref|] fT:頻率溫度�(wěn)定度
(不帶隱含基�(zhǔn)溫度�
fTref:頻率溫度�(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫度�
fmax :�(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的頻�
fmin:�(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的頻�
fref:�(guī)定基�(zhǔn)溫度測得的頻�
說明:采用fTref指標(biāo)的晶體振蕩器其生�(chǎn)難度要高于采用fT指標(biāo)的晶體振蕩器,故
fTref指標(biāo)�晶體振蕩�售價(jià)較高�
?�?頻率�(wěn)定預(yù)熱時(shí)間:�晶體振蕩��(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn),從加電到輸出頻率小于規(guī)�
頻率允差所需要的�(shí)��
說明:在多數(shù)�(yīng)用中�晶體振蕩�是長期加電的,然而在某些�(yīng)用中晶體振蕩�需�
頻繁的開�(jī)和關(guān)�(jī),這時(shí)頻率�(wěn)定預(yù)熱時(shí)間指�(biāo)需要被考慮到(尤其是對于在苛刻�(huán)境中�
用的軍用通訊電臺,當(dāng)要求頻率溫度�(wěn)定度≤�0.3ppm�-45℃~85℃),采用OCXO作為�
�,頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間將不少�5分鐘,而采用DTCXO只需要十幾秒鐘)�
?�?頻率老化率:在恒定的�(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí),振蕩器頻率和時(shí)間之間的�(guān)
�。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成�,可用規(guī)定時(shí)限后
的變化率(如±10ppb/�,加�72小時(shí)后),或�(guī)定的�(shí)限內(nèi)的總頻率變化(如�
±1ppm/(年)和±5ppm/(十年))來表示�
說明:TCXO的頻率老化率為:�0.2ppm~±2ppm(年)和±1ppm~±5ppm(十
年)(除特殊情況,TCXO很少采用每天頻率老化率的指標(biāo),因?yàn)榧词乖趯?shí)�(yàn)室的條件下,�
度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度�(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化,因此這�(gè)指標(biāo)�
去了�(shí)際的意義�。OCXO的頻率老化率為:�0.5ppb~±10ppb/天(加電72小時(shí)后),�
30ppb~±2ppm(年�,�0.3ppm~±3ppm(十年)�
?、殿l率壓控范圍:將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓�(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓,晶體振蕩器頻率�
最小峰值改變量�
說明:基�(zhǔn)電壓�+2.5V,�(guī)定終�(diǎn)電壓�+0.5V�+4.5V,壓控晶體振蕩器在+
0.5V頻率控制電壓�(shí)頻率改變量為-110ppm,�+4.5V頻率控制電壓�(shí)頻率改變量為+
130ppm,則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為:≥�100ppm�2.5V±2V��
?、秹嚎仡l率響�(yīng)范圍:當(dāng)�(diào)制頻率變化時(shí),峰值頻偏與�(diào)制頻率之間的�(guān)�。通常用規(guī)
定的�(diào)制頻率比�(guī)定的�(diào)制基�(zhǔn)頻率低若干dB表示�
說明:VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)�0~10kHz.
?、奉l率壓控線性:與理想(直線)函�(shù)相比的輸出頻�-輸入控制電壓傳輸特性的一種量
度,它以百分?jǐn)?shù)表示整�(gè)范圍頻偏的可容許非線性度�
說明:典型的VCXO頻率壓控線性為:≤±10%,≤�20%.簡單的VCXO頻率壓控線性計(jì)
算方法為(當(dāng)頻率壓控極性為正極性時(shí)):
頻率壓控線�=±((fmax-fmin�/ f0)�100%
fmax:VCXO在壓控電壓時(shí)的輸出頻�
fmin:VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻�
f0:壓控中心電壓頻率
?、竼芜厧辔辉肼暋辏╢):偏離載波f處,一�(gè)相位�(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之
��
�(jì)算機(jī)都有�(gè)�(jì)�(shí)電路,盡管一般使用“時(shí)鐘”這�(gè)詞來表示這些�(shè)�,但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)�,把它們稱為計(jì)�(shí)器(timer)可能更恰當(dāng)一�(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)�(shí)器通常是一�(gè)精密加工過的石英晶體,石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩,這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩�(gè)寄存器與每�(gè)石英晶體相關(guān)�(lián),一�(gè)�(jì)�(shù)器(counter)和一�(gè)保持寄存器(holdingregister�。石英晶體的每次振蕩使計(jì)�(shù)器減1.�(dāng)�(jì)�(shù)器減�0�(shí),產(chǎn)生一�(gè)中斷,計(jì)�(shù)器從保持�(jì)�(shù)器中重新裝入初始�。這種方法使得對一�(gè)�(jì)�(shí)器�(jìn)行編�,令其每秒產(chǎn)�60次中斷(或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷)成為可能。每次中斷稱為一�(gè)�(shí)鐘嘀嗒(clocktick��
晶振在電氣上可以等效成一�(gè)電容和一�(gè)電阻并聯(lián)再串�(lián)一�(gè)電容的二端網(wǎng)�(luò),電工學(xué)上這�(gè)�(wǎng)�(luò)有兩�(gè)諧振�(diǎn),以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振,較高的頻率為并�(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩�(gè)頻率的距離相�(dāng)?shù)慕咏谶@�(gè)極窄的頻率范圍內(nèi),晶振等效為一�(gè)電感,所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并�(lián)諧振電路。這�(gè)并聯(lián)諧振電路加到一�(gè)�(fù)反饋電路中就可以�(gòu)成正弦波振蕩電路,由于晶振等效為電感的頻率范圍很�,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這�(gè)振蕩器的頻率也不會有很大的變�。晶振有一�(gè)重要的參�(shù),那就是�(fù)載電容�,選擇與�(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振�(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一�(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩�(gè)電容分別接到晶振的兩�,每�(gè)電容的另一端再接到地,這兩�(gè)電容串聯(lián)的容量值就�(yīng)該等于負(fù)載電�,請注意一般IC的引腳都有等效輸入電�,這�(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p�12.5p,如果再考慮元件引腳的等效輸入電�,則兩�(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇�