ITO � Indium Tin Oxide� �(dǎo)電膜是指采用磁控濺射的方法在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO��(dǎo)電薄�鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技�(shù)�(chǎn)品。由于其�電阻�、高可見光透射率、與玻璃基體�(jié)合牢�、抗擦傷 , 良好的化�(xué)�(wěn)定性等�(yōu)� , 得到了越來越廣泛的應(yīng)用�
金屬特�
金屬�(dǎo)電的原因:金屬鍵之鍵�(jié)力不�,電子受到外加電位即可自由運動,形成電子��
金屬不透明的原因:光波被高密度之電子吸收與反射�
氧化物特�
氧化物絕緣的原因:氧化物為金屬與氧氣反應(yīng)形成共價�,鍵�(jié)中無自由電子,因此不�(dǎo)��
氧化物透明的原因:原子鍵結(jié)的空隙中無自由電�,故光波可穿透氧化物�(jié)�(gòu)�
透明�(dǎo)電氧化物
氧化物結(jié)�(gòu)中含有氧原子之缺�,使自由電子可在這些缺陷中運�,因此可以導(dǎo)�,但由於自由電子之密度不�,因此導(dǎo)電率不如金屬�
由於自由電子之密度不�,因此可以透光,但透光率不如致密氧化物�
透光率與�(dǎo)電率之關(guān)�
ITO薄膜在可見光之范圍內(nèi),鍍膜之透光率與�(dǎo)電鍍率約成反比之�(guān)�;例�,當(dāng)鍍膜面電阻率�10Ω/sq以下�,可見光透光率可�(dá)80%,但若透光率欲�(dá)�90%以上,則面電阻必須提高至100Ω/sq以上�
近年來,ITO�(dǎo)電膜被廣泛應(yīng)用在LCD屏幕和觸控面�,ITO�(dǎo)電膜還被用作飛機座艙玻璃散射雷達(dá)波的隱身涂層 , 將雷�(dá)波散射到非有效空間方� , 從而縮減了飛機座艙的雷�(dá)散射截面 RCS.此外,在液晶顯示、氣體放�、電致發(fā)光器件以及太陽能電池、建筑玻璃等方面 , ITO�(dǎo)電膜也得到了�(yīng)用�
用直流反�(yīng)磁控濺射法在無機玻璃上鍍� ITO �。濺射時基片不加� , 濺射后�(jìn)行空氣退火和真空退�。采用由J S - 450 型改造而成的濺射設(shè)� , 濺射室內(nèi)水平安裝直徑�300mm的圓形平面磁控濺射靶陰極 (在上方� 和放置基片的可旋�(zhuǎn)試樣� (在下方� .靶陰極與 d1c高壓電源的負(fù)極相�(lián) , 試樣臺與正極相聯(lián)并接�。In - Sn 合金靶由高純 In�991999 %In� 和高� Sn �991999 %Sn� 制成 , 成分� 92 %In (wt � + 8 %Sn (wt � , 靶片直徑 280mm.由于制備的試樣尺寸較� , 通過屏蔽的方法只允許直徑 170mm 的靶面工作�
� 5mm厚的 K9 玻璃作基� , 尺寸� 30mm ×30mm2� 10mm ×2218mm2兩種。高純Ar作放電氣� , 高純 O2作為反應(yīng)氣體 , � ZZK - 1 型壓強自動控制儀控制氣體總壓� ,用D07 型質(zhì)量流量計控制 O2濃度。濺射室總壓強為 110Pa , O2濃度變化范圍 9. 5 %~12.5 % , 濺射功率85W , 濺射時間根據(jù)對膜的厚度要求而定。通過輝光放電 , 使部分Ar 原子電離 , 還有較高功能� Ar 離子� In - Sn 合金靶表面的原子濺射下來。被濺射下來� In、Sn原子和處于激�(fā)狀�(tài)的氧離子�(fā)生反�(yīng) , 生成 In - Sn 氧化物膜 , � ITO 膜。本實驗由于基片不加� , 沉積速率� , 氧化反應(yīng)不充� , 生成的膜中含有黑色低價氧化物 InO 和SnO.這時 ITO 膜的透明性和�(dǎo)電性均不佳 , 必須�(jìn)行鍍后退� , 使其�(zhuǎn)化成透明性和�(dǎo)電性都很好的高價氧化物 In2O3 - SnO2.
反應(yīng)濺射后分別在空氣中和真空中�(jìn)行退�。退火溫� 450~500 �� 保溫時間 1~115h.
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