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Dram芯片
閱讀�11902�(shí)間:2011-04-17 02:10:17

  DRAM芯片即動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�,DRAM 只能將數(shù)�(jù)保持很短的時(shí)�,所以需要定�(shí)刷新。DRAM相對(duì)于SRAM�(lái)�(shuō)更加�(fù)�,因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)�(shù)�(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存�(chǔ)的信息不停的刷新,這也是它們之間的不同�

類型

  DRAM 分為很多�,常�(jiàn)的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等,這里介紹其中的一� DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作 DDR SDRAM,這種改�(jìn)型的 RAM � SDRAM 是基本一樣的,不同之處在于它可以在一�(gè)�(shí)鐘讀寫兩次數(shù)�(jù),這樣就使得數(shù)�(jù)傳輸速度加倍了。這是目前 電腦中用得最多的�(nèi)�,而且它有著成本優(yōu)�(shì),事�(shí)上擊敗了 Intel 的另外一種內(nèi)存標(biāo)�(zhǔn)-Rambus DRAM。在很多高端 的顯卡上,也配備了高� DDR RAM �(lái)提高帶寬,這可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能��

針腳的作�

  DRAM 分為很多�,常�(jiàn)的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM �,這里介紹其中的一� DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作 DDR SDRAM,這種改�(jìn)型的 RAM � SDRAM 是基本一樣的,不同之處在于它可以在一�(gè)�(shí)鐘讀寫兩次數(shù)�(jù),這樣就使得數(shù)�(jù)傳輸速度加倍了。這是目前 電腦中用得最多的�(nèi)�,而且它有著成本優(yōu)�(shì),事�(shí)上擊敗了 Intel 的另外一種內(nèi)存標(biāo)�(zhǔn)-Rambus DRAM。在很多高端 的顯卡上,也配備了高� DDR RAM �(lái)提高帶寬,這可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能�。Intel�1979年發(fā)布的2188DRAM芯片,采�16Kx1 DRAM 18線DIP封裝。是最早出�(xiàn)的一款DRAM芯片。我們現(xiàn)在來(lái)解讀一下它所代表的意義:

  �16K x 1”是指芯片可以存�(chǔ)16384�(gè)bit�(shù)�(jù),同�(shí)期可同時(shí)�(jìn)�1bit的讀取或者寫入操�。DRAM地址引腳�7�,SRAM地址引腳�14�,這顆16K DRAM通過(guò)DRAM接口把地址一分為二,然后利用兩�(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期傳�?shù)刂窋?shù)�(jù)。這樣就可以節(jié)省一半的針腳�(shí)�(xiàn)和SRAM的同樣功�,這種技�(shù)即多路技�(shù)(multiplexing�??梢酝瓿�?6K SRAM一樣的工作�

  DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾�(gè)方面�

  1.  同容量的DRAM要比SRAM體積少四�。這樣也就�(méi)有足夠的空間安放與SRAM同樣�(shù)量的引腳。所以必須減少地址引腳�

  2.  廠商雖然可以將DRAM的體積加大增加引腳,但是為了降低成本和功�,所以還是要減少地址引腳�(shù)量�

  3.  大容量DRAM芯片一般采用多路尋址技�(shù),這么做雖使DRAM芯片�(fù)�,同�(shí)也使DRAM接口更加�(fù)雜,但是可以獲得比同容量的SRAM更少的地址引腳

刷新技�(shù)

  由于DRAM的特性決�,DRAM能存�(chǔ)電荷的時(shí)間非常短�,這樣它需要在電荷消失之前�(jìn)行刷�,直到下次寫入數(shù)�(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停歀每次讀寫操作都要刷新DRAM�(nèi)的電�,因此DRAM�(shè)�(jì)為有�(guī)律的讀取其�(nèi)的內(nèi)��

  刷新技�(shù)有以下幾�(gè)好處�

  1.只要使用/RAS激活每一行便可做到全部刷新�

  2.用DRAM控制器來(lái)控制刷新,防止刷新操作干擾有�(guī)律的讀寫操��

  3.一般來(lái)�(shuō),DRAM行的�(shù)目比列的�(shù)量少,行越少刷新的時(shí)間也就越��

與SARM的比較與�(yīng)�

  �(guò)去在一般性的嵌入式設(shè)�(jì)�,其�(nèi)存部分多是使� SRAM,之后由于計(jì)算機(jī)等電子數(shù)�(jù)�(shè)備的成長(zhǎng),使�(shè)備內(nèi)部所� 的內(nèi)存容量大幅增�,這時(shí)就難以使� SRAM �(lái)�(shí)�(xiàn)大容量的�(nèi)存系�(tǒng),而必須使� DRAM,DRAM 每�(gè)位的記憶� 路是� 1 �(gè)晶體管與 1 �(gè)電容所�(gòu)�,相�(duì)� SRAM 每�(gè)位需� 4?6 �(gè)晶體管才能構(gòu)成,DRAM 擁有� SRAM � 4?6 倍的記憶密度� 雖然 DRAM 在記憶密度、電路成本等方面�(yōu)� SRAM,但 DRAM 也有不如 SRAM 的地方,SRAM 是以持續(xù)供電 的方式來(lái)記憶�(shù)�(jù),所以運(yùn)作上相當(dāng)耗電,相�(duì)� DRAM �(shí)行刷新(Refresh)方式來(lái)持留住記憶內(nèi)�,如此雖比較� �,但記憶�(shù)�(jù)的存取速度就不� SRAM� 此外,DRAM �?yàn)樗⑿码娐贰⒋嫒‰娐返仍O(shè)�(jì),使的系�(tǒng)接口的線路較 SRAM �(fù)�,SRAM �(méi)有刷新電路且接口 �(shè)�(jì)單純、直�(jué),如此對(duì)電子工程師而言,除非真� SRAM �(wú)法滿足的高容�、低用電等設(shè)�(jì)要求,否則都盡可能實(shí)� SRAM,因?yàn)?SRAM 的電路設(shè)�(jì)� DRAM �(jiǎn)潔、容�� 正因?yàn)?SRAM � DRAM 有諸多特性是完全相左,以致多年來(lái)的應(yīng)用范疇也各不相同,SRAM 多用在少�(shù)容量的高 速存取應(yīng)用上,例如高速處理器的高速緩�、高速網(wǎng)�(luò)�(shè)備(如:路由�、交換機(jī))的�(nèi)存等。� DRAM 就用在大� 記憶需求的�(yīng)用上,如激光打印機(jī)、高清晰�(shù)字電視等� 不過(guò),在手持式應(yīng)用的�(shè)�(jì)�,就同時(shí)需� DRAM � SRAM 的特�,既需� SRAM 的電路簡(jiǎn)潔特性(�?yàn)橛∷�?路板面積�,線路數(shù)能減少就少),又需� DRAM 的低用電(因使用電池�(yùn)作)。此外芯片用�(shù)也多� 1�2 �(gè)芯片� �,所以也不易同時(shí)使用 DRAM 芯片� SRAM 芯片,只能擇一而用。既然只能擇一而用,真正權(quán)衡取舍的�(jié)果是使用 DRAM,但必須� DRAM 的存取接口加以簡(jiǎn)化,作法是將刷新電路改成自行刷新(Self-Refresh�,然后接口簡(jiǎn)化成� �、近似原� SRAM 的接�,如此就成了 PSRAM,有�(shí)也稱 PSDRAM� PSRAM �(biāo)�(zhǔn)各有技�(shù)陣營(yíng) PSRAM 的概念是改變 DRAM 原有的存取接口設(shè)�(jì),使其接口兼容于原有 SRAM 的存取接�,且在存取的�(shí)序等其它 特性上也相類似。不�(guò)光有概念還是不夠,各�(yè)者依然組成了�(lián)盟陣�(yíng),訂立出自己依循� PSRAM �(guī)范及�(biāo)�(zhǔn)�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

已收錄詞�154168�(gè)

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