MOSFET�(qū)�(dòng)器是一款高頻高電壓柵極�(qū)�(dòng)器,可利用一�(gè)同步 DC/DC �(zhuǎn)換器和高�(dá) 100V �電源電壓�(lái)�(qū)�(dòng)兩�(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力降低了具高柵�電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針�(duì)兩�(gè)與電源無(wú)�(guān)的輸入�(jìn)行配�。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下�(yùn)��
●欠壓閉鎖功�
●自適應(yīng)貫通保�(hù)功能
●自舉電源電壓至 114V
�1.4A 峰值頂端柵極上拉電�
�1.75A 峰值底端柵極上拉電�
●耐熱增強(qiáng)� 8 引腳 MSOP 封裝
●寬 VCC 電壓�4.5V � 13.5V
�1.5Ω 頂端柵極�(qū)�(dòng)器下拉電�
�0.75Ω 底端柵極�(qū)�(dòng)器下拉電�
�5ns 頂端柵極下降�(shí)間驅(qū)�(dòng) 1nF �(fù)�
�8ns 頂端柵極上升�(shí)間驅(qū)�(dòng) 1nF �(fù)�
�3ns 底端柵極下降�(shí)間驅(qū)�(dòng) 1nF �(fù)�
�6ns 底端柵極上升�(shí)間驅(qū)�(dòng) 1nF �(fù)�
●可�(qū)�(dòng)高壓�(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET
MOSFET �(qū)�(dòng)器的功耗包含三部分�
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功��
與MOSFET柵極電容充電和放電有�(guān)。這部分功耗通常是的,特別在很低的開�(guān)頻率�(shí)�
2. 由于MOSFET �(qū)�(dòng)器吸收靜�(tài)電流而產(chǎn)生的功��
高電平時(shí)和低電平�(shí)的靜�(tài)功耗�
3. MOSFET �(qū)�(dòng)器交越導(dǎo)通(穿通)電流�(chǎn)生的功��
由于MOSFET �(qū)�(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗,通常這也被稱為穿�。這是由于輸出�(qū)�(dòng)�(jí)的P溝道和N 溝道�(chǎng)效應(yīng)管(FET)在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換�(shí)同時(shí)�(dǎo)通而引起的�
●分布式電源架構(gòu)
●汽車電�
●高密度電源模塊
●電信系�(tǒng)
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
已收錄詞�153979�(gè)