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RCD吸收電路
閱讀�26222�(shí)間:2011-01-07 14:39:56

  RCD吸收電路它由電阻Rs�電容Cs�二極�VDs�(gòu)�。電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。RCD吸收電路�(duì)過電壓的抑制要好�RC吸收電路,與RC電路相比Vce升高的幅度更�。由于可以取大阻值的吸收電阻,在一定程度上降低了損耗�

原理

  若開�(guān)斷開,蓄積在寄生電感中能量通過開關(guān)的寄生電容充電,開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓�(shí),吸收二極管�(dǎo)�,開�(guān)電壓被吸收二極管所嵌位,約�1V左右。寄生電感中蓄積的能量也�(duì)吸收電容充電。開�(guān)接通期�,吸收電容通過電阻放電�

RCD吸收電路的原理

�(shè)�(jì)

  一﹑首先對(duì)MOS管的VD�(jìn)行分段:

 ?�?,輸入的直流電壓VDC�

 ?、ⅲ渭?jí)反射初級(jí)的VOR�

  �,主MOS管VD余量VDS�

 ?�?,RCD吸收有效電壓VRCD1�

  二﹑�(duì)于以上主MOS管VD的幾部分�(jìn)行計(jì)算:

 ?、。斎氲闹绷麟妷篤DC�

  在計(jì)算VDC�(shí),是依輸入電壓值為�(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V,即DC375V�

  VDC=VAC  *�

  �,次�(jí)反射初級(jí)的VOR�

  VOR是依在次�(jí)輸出電壓,整流二極管壓降時(shí)�(jì)算的,如輸出電壓為:5.0V±5%(依Vo =5.25V�(jì)算),二極管VF�0.525V(此值是�1N5822的資料中查找額定電流下VF值)�

  VOR�(VF +Vo)*Np/Ns

 ?�?,主MOS管VD的余量VDS�

  VDS是依MOS管VD�10%為最小值.如KA05H0165R的VD=650�(yīng)選擇DC65V�

  VDS=VD* 10%

 ?�?,RCD吸收VRCD�

  MOS管的VD減去�,ⅲ三項(xiàng)就剩下VRCD的值。實(shí)際選取的VRCD�(yīng)為值的90%(這里主要是考慮到開�(guān)電源各�(gè)元件的分散�,溫度漂移和�(shí)間飄移等因素得影響)�

  VRCD�(VD-VDC -VDS)*90%

  注意:① VRCD是計(jì)算出理論值,再通過�(shí)�(yàn)�(jìn)行調(diào)�,使得實(shí)際值與理論值相吻合�

  � VRCD必須大于VOR�1.3倍.(如果小�1.3�,則主MOS管的VD值選擇就太低了)

 ?�?MOS管VD�(yīng)�(dāng)小于VDC�2倍.(如果大�2�,則主MOS管的VD值就過大了)

  � 如果VRCD的實(shí)�(cè)值小于VOR�1.2倍,那么RCD吸收回路就影響電源效��

 ?�?VRCD是由VRCD1和VOR組成�

 ?、ィ琑C�(shí)間常�(shù)τ確定�

  τ是依開關(guān)電源工作頻率而定�,一般選�10~20�(gè)開關(guān)電源周期�

  三﹑試驗(yàn)�(diào)整VRCD�

  首先假設(shè)一�(gè)RC參數(shù),R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市電,�(yīng)遵循先低壓后高壓,再由輕載到重載的原則。在試驗(yàn)�(shí)�(yīng)�(dāng)�(yán)密注視RC元件上的電壓�,務(wù)必使VRCD小于�(jì)算值。如�(fā)�(xiàn)到達(dá)�(jì)算�,就�(yīng)�(dāng)立即斷電,待將R值減小后,重�(fù)以上試驗(yàn)。(RC元件上的電壓值是用示波器觀察的,示波器的地接到輸入電解電容“+”極的RC一�(diǎn)�,測(cè)試點(diǎn)接到RC另一�(diǎn)上)

  一�(gè)合適的RC值應(yīng)�(dāng)在輸入電�,最重的電源�(fù)載下,VRCD的試�(yàn)值等于理論計(jì)算��

  四﹑試驗(yàn)中值得注意的現(xiàn)�

  輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越�,負(fù)載越重VRCD也越高。那么在輸入電壓,重�(fù)載時(shí)VRCD的試�(yàn)值如果大于以上理論計(jì)算的VRCD值,是否和(三)的內(nèi)容相矛盾�?一�(diǎn)都不矛盾,理論值是在輸入電壓時(shí)的計(jì)算結(jié)�,而現(xiàn)在是低輸入電��

  重負(fù)載是指開�(guān)電源可能�(dá)到的�(fù)載。主要是通過試驗(yàn)�(cè)得開�(guān)電源的極限功��

與RC電路的比�

  采用RC、RCD吸收電路也可以對(duì)變壓器消�,這時(shí)就不必另�(shè)變壓器繞組與二極管組成的去磁電路。變壓器的勵(lì)磁能量都在吸收電阻中消耗掉。RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量,而且也消耗變壓器�(lì)磁能�,因此降低了變換器變換效�。RCD吸收電路是通過二極管對(duì)開關(guān)電壓嵌位,效果比RC�,它也可以采用較大電�,能量損耗也比RC��

影響

  1.RCD電容C偏大

  電容端電壓上升很慢,因此�(dǎo)致mos 管電壓上升較�,導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級(jí)�(dǎo)通的間隔�(shí)間過�(zhǎng),變壓器能量傳遞過程較慢,相�(dāng)一部分初級(jí)�(lì)磁電感能量消耗在RC電路� �

  2.RCD電容C特別大(�(dǎo)致電壓無法上升至次級(jí)反射電壓�

  電容電壓很小,電壓峰值小于次�(jí)的反射電�,因此次�(jí)不能�(dǎo)�,導(dǎo)致初�(jí)能量全部消耗在RCD電路中的電阻�,因此次�(jí)電壓下降后達(dá)成新的平�,理論計(jì)算無效了,輸出電壓降��

  3.RCD電阻電容乘積R×C偏小

  電壓上沖后,電容上儲(chǔ)存的能量很小,因此電壓很快下降至次級(jí)反射電壓,電阻將消耗初�(jí)�(lì)磁電感能量,直至mos管開通后,電阻才緩慢釋放電容能量,由于RC較小,因此可能出�(xiàn)震蕩,就像沒有加RCD電路一��

  4.RCD電阻電容乘積R×C合理,C偏小

  如果參數(shù)選擇合理,mos管開通前,電容上的電壓接近次�(jí)反射電壓,此�(shí)電容能量泄放完畢,缺�(diǎn)是此�(shí)電壓尖峰比較�,電容和mos管應(yīng)力都很大

  5.RCD電阻電容乘積R×C合理,R,C都合�

  在上面的情況�,加大電容,可以降低電壓峰�,調(diào)節(jié)電阻�,使mos管開通之�,電容始終在釋放能量,與上面的不�,還是在于讓電容始終存有一定的能量�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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