三極管分很多種，按功率大小可分為大功率管和小功率管；按電路中的工作頻率可分為高頻管和低頻管；按半導(dǎo)體材料不同可分為硅管和鍺管；按結(jié)構(gòu)不同可分為NPN管和PNP管。無(wú)論是NPN型還是PNP型都分為三個(gè)區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，由三個(gè)區(qū)各引出一個(gè)電極，分別稱為發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)。其中發(fā)射極箭頭所示方向表示發(fā)射極電流的流向。在電路中，晶體管用字符T表示。具有電流放大作用的三極管，在內(nèi)部結(jié)構(gòu)上具有其特殊性，這就是：其一是發(fā)射區(qū)摻雜濃度大于集電區(qū)摻雜濃度，集電區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)摻雜濃度；其二是基區(qū)很薄，一般只有幾微米。這些結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是三極管具有電流放大作用的內(nèi)在依據(jù)。

　　三極管的特性曲線是用來(lái)表示各個(gè)電極間電壓和電流之間的相互關(guān)系的，它反映出三極管的性能，是分析放大電路的重要依據(jù)。特性曲線可由實(shí)驗(yàn)測(cè)得，也可在晶體管圖示儀上直觀地顯示出來(lái)。

　　1．輸入特性曲線

　　晶體管的輸入特性曲線表示了VCE為參考變量時(shí)，IB和VBE的關(guān)系。

　　圖1是三極管的輸入特性曲線，由圖可見(jiàn)，輸入特性有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

　　(1)  輸入特性也有一個(gè)“死區(qū)”。在“死區(qū)”內(nèi)，VBE雖已大于零，但I(xiàn)B幾乎仍為零。當(dāng)VBE大于某一值后，IB才隨VBE增加而明顯增大。和二極管一樣，硅晶體管的死區(qū)電壓VT（或稱為門檻電壓）約為0.5V，發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓VBE =（0.6~0.7）V；鍺晶體管的死區(qū)電壓VT約為0.2V，導(dǎo)通電壓約（0.2~0.3）V。若為PNP型晶體管，則發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓VBE分別為(-0.6 ~ -0.7)V和(-0.2~ -0.3)V。

　�。�2）一般情況下，當(dāng)VCE >1V以后，輸入特性幾乎與VCE=1V時(shí)的特性重合，因?yàn)閂CE >1V后，IB無(wú)明顯改變了。晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，VCE總是大于1V的（集電結(jié)反偏），因此常用VCE≥1V的一條曲線來(lái)代表所有輸入特性曲線。

　　2.輸出特性曲線

　　晶體管的輸出特性曲線表示以IB為參考變量時(shí)，IC和VCE的關(guān)系，即:

　　圖2是三極管的輸出特性曲線，當(dāng)IB改變時(shí)，可得一組曲線族，由圖可見(jiàn)，輸出特性曲線可分放大、截止和飽和三個(gè)區(qū)域。

　�。�1） 截止區(qū) ：IB = 0的特性曲線以下區(qū)域稱為截止區(qū)。在這個(gè)區(qū)域中，集電結(jié)處于反偏，VBE≤0發(fā)射結(jié)反偏或零偏，即VC>VE≧VB。電流IC很小，（等于反向穿透電流ICEO）工作在截止區(qū)時(shí)，晶體管在電路中猶如一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。

　�。�2） 飽和區(qū) ：特性曲線靠近縱軸的區(qū)域是飽和區(qū)。當(dāng)VCE<VBE時(shí)，發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均處于正偏，即VB>VC>VE。在飽和區(qū)IB增大，IC幾乎不再增大，三極管失去放大作用。規(guī)定VCE=VBE時(shí)的狀態(tài)稱為臨界飽和狀態(tài)，用VCES表示，此時(shí)集電極臨界飽和電流：

　　工作電壓/電流

　　用這個(gè)參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍.

　　特征頻率fT

　　:當(dāng)f= fT時(shí),三極管完全失去電流放大功能.如果工作頻率大于fT,電路將不正常工作.

　　hFE

　　電流放大倍數(shù).

　　VCEO

　　集電極發(fā)射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時(shí)的飽和電壓.

　　PCM

　　允許耗散功率.

　　封裝形式

　　指定該管的外觀形狀,如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無(wú)法在電路板上實(shí)現(xiàn).