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MOSFET 擊穿
閱讀�1364�(shí)間:2020-11-06 16:38:09

根據(jù)給定柵壓的漏源電��MOSFET 通常有三種工作模�。漏源電壓較小時(shí),電流與電壓呈線性關(guān)�,這是歐姆區(qū);隨著漏源電壓的升高,引出電流開(kāi)始飽�,這是飽和區(qū);隨著漏源電壓�(jìn)一步升�,�(jìn)入擊穿范�,其中的電流隨著外加電壓的小幅增大呈指數(shù)增長(zhǎng),這是由碰撞電離導(dǎo)致的�
此模型介紹如何使用瞬�(tài)求解器對(duì) MOSFET 中的碰撞電離�(jìn)行建模,

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