(Metal-Oxide-SemIConductor)MOS晶體�,分別叫PMOS管和NMOS�。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC� Complementary MOS Integrated Circuit��
主要封裝形式
雙列直插(DIP封裝�
扁平封裝(PLCC封裝�
CMOS集成電路的性能特點(diǎn)
微功耗—CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級�
高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上�
寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18��
高邏輯擺幅—CMOS電路輸出�、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD,邏輯�0”為VSS�
高輸入阻�--CMOS電路的輸入阻抗大�108Ω,一般可�(dá)1010Ω�
高扇出能�--CMOS電路的扇出能力大�50�
低輸入電�--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF�
寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍�
-55℃~125�;塑封的CMOS電路為�40℃~85��
為什么CMOS電路的直流功耗幾近于�
JEDEC工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)
JEDEC�(biāo)�(zhǔn)是電子工�(yè)�(xié)會(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的工�(yè)�(biāo)�(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的額定范圍:
電源電壓:VDD~VSS18~-0.5V(DC)
直流輸入電流:IIN�10mA(DC)
輸入電壓:VIVSS≤VI≤VDD+0.5V(DC)
器件功耗:PD200mw
工作溫度范圍:T-55~125(陶封)�-40~85(塑�)�
存儲溫度范圍:TSTG-65~150�
輸入/輸出信號�(guī)�
所有的CMOS電路的輸入端不能浮置,使用一�(gè)上拉或下拉電阻,以保�(hù)器件不受損害�
在某些應(yīng)用場合,輸入端要串入電阻,以限制流過保護(hù)二極管的電流不大�10mA�
輸入脈沖信號的上升和下降�(shí)間必須小�15us,否則必須�(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路�
避免CMOS電路直接�(qū)動雙極型晶體�,否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范��
CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動器由于其本身的低輸出阻�,必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(�500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況�
CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀�(tài)。因?yàn)�?dǎo)通的PMOS管和�(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會將電源短路�
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