華瑞是臺(tái)灣家自行研發(fā)、生�(chǎn)、銷�MOSFET自有品牌的公�。從元件�(shè)�(jì)、晶圓加�、封�、測(cè)試全程作�(yè)以及客戶服務(wù),行銷全�。本公司�(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于M/B、NB�UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC�LCD Monitor…等�(lǐng)域�
mos�是金�(metal)—氧化物(oxid)—半�(dǎo)�(semiconductor)�(chǎng)效應(yīng)晶體�,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半�(dǎo)�。MOS管的source和drain是可以對(duì)�(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況�,這�(gè)兩�(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)�(diào)也不�(huì)影響器件的性能。這樣的器件被�(rèn)為是�(duì)稱的�
概述
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半�(dǎo)�(semiconductor)�(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)�
半導(dǎo)�。MOS管的source和drain是可以對(duì)�(diào)�,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這�(gè)兩�(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)�(diào)也不�(huì)影響器件的性能。這樣的器件被�(rèn)為是�(duì)稱的�
�(jiǎn)�
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一�(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta�。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET�,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比�
�(chǎng)效應(yīng)管的名字也來(lái)源于它的輸入端(稱為gate)通過(guò)投影一�(gè)電場(chǎng)在一�(gè)絕緣層上�(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事�(shí)上沒(méi)有電流流�(guò)這�(gè)絕緣�,所以FET管的GATE電流非常�。最普通的FET用一薄層二氧化硅�(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)�(MOS)晶體�,或,金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已�(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管�