mos管是金屬(metal)-氧化�(oxid)-半導(dǎo)�(semiconductor)�(chǎng)效應(yīng)晶體管�
眾所周知,我們的PC主機(jī)上所用的處理器都是低電壓大功率的零件,按不同的CPU種類功率從幾十到上百�,而電壓卻只有一�(diǎn)多到二點(diǎn)多伏。通過(guò)了解,我們知道主�(jī)電源供應(yīng)器的電壓輸出均沒有這么低的輸出電壓,而我們常用的主板CPU主供電是由一�(duì)MOS管組成的開關(guān)電路降壓得來(lái)�。所謂MOS�,就是絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)三極�,分為N溝道和P溝道(主板上一般用N溝道的MOS管),而每種溝道的管子的類型又分成增強(qiáng)型和耗盡型兩�。在此我們只�(jiǎn)單介紹N溝道MOS管的工作特點(diǎn):管子有三�(gè)極,從溝道的兩端分別引出兩�(gè)電極,稱為源極(S極)和漏極(D極),另外一�(gè)則稱為柵極(G極)。當(dāng)柵源兩極之間的電壓� |Ugs| =0�(shí),漏源之間已�(jīng)存在�(dǎo)電溝(D與S之間可以�(dǎo)通)的為耗盡�,而當(dāng)柵源兩極之間的電壓� |Ugs| >0�(shí)漏源之間才存在導(dǎo)電溝的則是增�(qiáng)型的管子。下面我門根據(jù)MOS管的基本特性簡(jiǎn)單說(shuō)明下CPU的供電電路原��
�(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話�(shuō),就是“漏�-源極間流�(jīng)溝道的ID,用以門極與溝道間的pn�(jié)形成的反偏的門極電壓控制ID�。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn�(jié)反偏的變化,�(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)�,表示的�(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加VDS的電�(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極�(kuò)展的�(guò)度層將溝道的一部分�(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀�(tài)稱為夾斷。這意味著�(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切��
�(yōu)�(zhì)的MOS管能夠承受的電流峰值更�。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的�(zhì)量高低,可以看它能承受的電流�。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常�,像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上�(wú)法標(biāo)注這么多參�(shù),所以在MOS管表面一般只�(biāo)注了�(chǎn)品的型號(hào),我們可以根�(jù)該型�(hào)上網(wǎng)查找具體的性能參數(shù)�
還要�(shuō)明的�,溫度也是MOS管一�(gè)非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫�、管殼溫�、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高,MOS管需要承受的電流也隨著增�(qiáng),提供近百A的電流已�(jīng)很常見了。如此巨大的電流通過(guò)�(shí)�(chǎn)生的熱量�(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的安全,高品質(zhì)主板也開始為MOS管加裝散熱片��
在過(guò)渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀�(tài)下幾乎具有絕緣特�,通常電流也難流動(dòng)。但是此�(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩�(gè)�(guò)渡層接觸漏極與門極下部附�,由于漂移電�(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)�(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)�。其次,VGS向負(fù)的方向變�,讓VGS=VGS(off),此�(shí)�(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀�(tài)。而且VDS的電�(chǎng)大部分加到過(guò)渡層�,將電子拉向漂移方向的電�(chǎng),只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流��
目前主板或顯卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10�(gè)左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去�。由于MOS管主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內(nèi)存插槽附�。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS�,而內(nèi)存插槽則共用了一組MOS�,MOS管一般是以兩�(gè)組成一組的形式出現(xiàn)主板上的�