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雙極晶體�
閱讀�4461�(shí)間:2017-01-18 09:09:07

由兩�(gè)背靠�PN�(jié)�(gòu)成的具有電流放大作用�晶體三極�。起源于1948年發(fā)明的�(diǎn)接觸晶體三極��50年代初發(fā)展成�(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極�晶體�。雙極型晶體管有兩種基本�(jié)�(gòu):PNP型和NPN�。在�3層半�(dǎo)體中,中間一層稱基區(qū),外�(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流�(shí),在�(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電�,這就是晶體管的放大效�(yīng)�

介紹


雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor�
雙極型晶體管是一種電流控制器�,電子和空穴同時(shí)參與�(dǎo)�。同�(chǎng)效應(yīng)晶體管相比,雙極型晶體管�(kāi)�(guān)速度�,輸入阻抗小,功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電�、壽命長(zhǎng)、可靠性高,已廣泛用于廣播、電�、通信、雷�(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝�、電子儀�、家用電器等�(lǐng)�,起放大、振蕩、開(kāi)�(guān)等作��
晶體管:用不同的摻雜方式在同一�(gè)硅片上制造出三�(gè)摻雜區(qū)域,并形成兩�(gè)PN�(jié),就�(gòu)成了晶體�.

分類

晶體管分類:雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)�
雙極型晶體管分類:NPN型管和PNP型管

特點(diǎn)

輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況�,基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特�,可表示為: 硅管的開(kāi)啟電壓約�0.7V,鍺管的�(kāi)啟電壓約�0.3V�
輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量�(shí),集電極電流iC與管壓降uCE之間的函�(shù)�(guān)�??杀硎緸�?BR>雙極型晶體管輸出特性可分為三�(gè)區(qū)
★截止區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能�。如果把三極管當(dāng)作一�(gè)�(kāi)�(guān),這�(gè)狀�(tài)相當(dāng)于斷�(kāi)狀�(tài)�
★飽和區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控�,管子失去放大作�,UCE@0,IC=EC/RC,把三極管當(dāng)作一�(gè)�(kāi)�(guān),這時(shí)�(kāi)�(guān)處于閉合狀�(tài)�
★放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏�
放大區(qū)的特�(diǎn)是:
◆IC受IB的控�,與UCE的大小幾乎無(wú)�(guān)。因此三極管是一�(gè)受電流IB控制的電流源�
◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小,反映基極電流IB�(duì)集電極電流IC控制能力的大�,間隔越大表示管子電流放大系�(shù)b越大�
◆伏安特性的那條線為IB=0,表示基極開(kāi)�,IC很小,此�(shí)的IC就是穿透電流ICEO�
◆在放大區(qū)電流電壓�(guān)系為:UCE=EC-ICRC, IC=βIB
◆在放大區(qū)管子可等效為一�(gè)可變直流電阻�
極間反向電流:是少數(shù)載流子漂移運(yùn)�(dòng)的結(jié)��
集電極-基極反向飽和電流ICBO :是集電�(jié)的反向電流�
集電極-�(fā)射極反向飽和電流ICEO :它是穿透電��
ICEO與CBO的關(guān)系:
特征頻率 :由于晶體管中PN�(jié)�(jié)電容的存�,晶體管的交流電流放大系�(shù)�(huì)隨工作頻率的升高而下降,�(dāng) 的數(shù)值下降到1�(shí)的信�(hào)頻率稱為特征頻率 �
雙極型晶體管極限參數(shù)
★集電極耗散功率 如圖所��
★集電極電流 :使b下降到正常值的1/2�2/3�(shí)的集電極電流稱之為集電極允許電流�
★極間反向擊穿電壓:晶體管的某一電極�(kāi)路時(shí),另外兩�(gè)電極間所允許加的反向電壓即為極間反向擊穿電壓,超�(guò)此值的管子�(huì)�(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時(shí),擊穿電壓要下降�

影響

BVcbo
是發(fā)射極�(kāi)路時(shí)集電�-基極間的反向擊穿電壓,這是集電�(jié)所允許加的反向電壓。是基極�(kāi)路時(shí)集電�-�(fā)射極間的反向擊穿電壓,此�(shí)集電�(jié)承受的反向電��
BVebo
是集電極�(kāi)路時(shí)�(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓,這是�(fā)射結(jié)所允許加的反向電壓�
BVceo
這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電�,即基極�(kāi)路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電�。由于在基極�(kāi)路時(shí),集電結(jié)是反�、發(fā)射結(jié)是正偏的,即BJT處于放大狀�(tài)�
溫度�(duì)的影響: 是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)�(dòng)形成�,當(dāng)溫度升高�(shí),熱�(yùn)�(dòng)加劇,更多的�(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛,從而使少子的濃度明顯增�� 增大�
溫度每升�10 �(shí)� 增加約一倍。硅管的 比鍺管的小得�,硅管比鍺管受溫度的影響要小�
溫度�(duì)輸入特性的影響:溫度升�,正向特性將左移�
溫度�(duì)輸出特性的影響:溫度升高時(shí) 增大�
光電三極管:依據(jù)光照的強(qiáng)度來(lái)控制集電極電流的大小�
暗電流ICEO:光照時(shí)的集電極電流稱為暗電流ICEO,它比光電二極管的暗電流約大兩倍;溫度每升�25 ,ICEO上升�10��

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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