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ZXMN6A09DN8TA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:53:34 查看 閱讀�20

ZXMN6A09DN8TA 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沃特 (N-Channel) 增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,適用于需要高效能�(kāi)�(guān)的多種工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)�(duì)效率和性能的嚴(yán)格要求�
  該型�(hào)采用 DSO-8 封裝形式,適合表面貼裝技�(shù) (SMT),從而簡(jiǎn)化了裝配�(guò)程并提高了生�(chǎn)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:45V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:3.2mΩ
  柵極電荷�35nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 12ns
  封裝類型:DSO-8

特�

ZXMN6A09DN8TA 的主要特性如下:
  1. 高效性:具備極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其低柵極電荷和短開(kāi)�(guān)�(shí)�,該器件非常適合高頻�(yīng)��
  3. �(qiáng)大的熱管理:該芯片具有出色的散熱性能,有助于延長(zhǎng)使用壽命并提高系�(tǒng)�(wěn)定性�
  4. 可靠性高:符合嚴(yán)格的工業(yè)�(biāo)�(zhǔn),保證在各種惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型 DSO-8 封裝,節(jié)省電路板空間,便于集成到�(fù)雜的�(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)的控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 充電�、逆變器以� LED 照明等高效能�(zhuǎn)換設(shè)��
  5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)路由與處��
  ZXMN6A09DN8TA 憑借其卓越的性能表現(xiàn),在這些�(yīng)用中提供了更高的效率和更小的尺寸解決方案�

替代型號(hào)

ZXMN6A09FA, IRF7832, AO3400

zxmn6a09dn8ta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

zxmn6a09dn8ta資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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zxmn6a09dn8ta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 8.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24.2nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1407pF @ 40V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMN6A09DN8TR