ZXMN6A09DN8TA 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沃特 (N-Channel) 增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,適用于需要高效能�(kāi)�(guān)的多種工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)�(duì)效率和性能的嚴(yán)格要求�
該型�(hào)采用 DSO-8 封裝形式,適合表面貼裝技�(shù) (SMT),從而簡(jiǎn)化了裝配�(guò)程并提高了生�(chǎn)效率�
最大漏源電壓:45V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:3.2mΩ
柵極電荷�35nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 12ns
封裝類型:DSO-8
ZXMN6A09DN8TA 的主要特性如下:
1. 高效性:具備極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其低柵極電荷和短開(kāi)�(guān)�(shí)�,該器件非常適合高頻�(yīng)��
3. �(qiáng)大的熱管理:該芯片具有出色的散熱性能,有助于延長(zhǎng)使用壽命并提高系�(tǒng)�(wěn)定性�
4. 可靠性高:符合嚴(yán)格的工業(yè)�(biāo)�(zhǔn),保證在各種惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型 DSO-8 封裝,節(jié)省電路板空間,便于集成到�(fù)雜的�(shè)�(jì)中�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)的控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
4. 充電�、逆變器以� LED 照明等高效能�(zhuǎn)換設(shè)��
5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)路由與處��
ZXMN6A09DN8TA 憑借其卓越的性能表現(xiàn),在這些�(yīng)用中提供了更高的效率和更小的尺寸解決方案�
ZXMN6A09FA, IRF7832, AO3400