NSS1C201LT1G是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平MOSFET。該器件采用小型化的SOT-23封裝,適用于空間受限的設(shè)�(jì)。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其非常適合用于便攜式電子�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)�、電信設(shè)備以及工�(yè)控制中的�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理和其他功率管理�(yīng)��
這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):125mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�6nC
總電容(Ciss):22pF
�(kāi)�(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 采用SOT-23封裝,體積小,適合高密度電路板設(shè)�(jì)�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
3. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用如�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 較寬的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性能�
5. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼�3.3V�5V邏輯系統(tǒng),簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
6. 良好的熱�(wěn)定性,能有效應(yīng)�(duì)高功率場(chǎng)��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路及充電管��
5. 電信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)與功率分��
6. 各種工業(yè)控制中的小型化功率開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
NTMS2190NT1G, AO3400A