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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 0:52:27 查看 閱讀�6

NSS1C201LT1G是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平MOSFET。該器件采用小型化的SOT-23封裝,適用于空間受限的設(shè)�(jì)。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其非常適合用于便攜式電子�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)�、電信設(shè)備以及工�(yè)控制中的�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理和其他功率管理�(yīng)��
  這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):125mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�6nC
  總電容(Ciss):22pF
  �(kāi)�(guān)速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

1. 采用SOT-23封裝,體積小,適合高密度電路板設(shè)�(jì)�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  3. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用如�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 較寬的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性能�
  5. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼�3.3V�5V邏輯系統(tǒng),簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
  6. 良好的熱�(wěn)定性,能有效應(yīng)�(duì)高功率場(chǎng)��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
  4. 電池保護(hù)電路及充電管��
  5. 電信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)與功率分��
  6. 各種工業(yè)控制中的小型化功率開(kāi)�(guān)�(yīng)用�

替代型號(hào)

NTMS2190NT1G, AO3400A

nss1c201lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nss1c201lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

nss1c201lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)150mV @ 200mA�2A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)120 @ 500mA�2V
  • 功率 - 最�490mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�110MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSS1C201LT1G-NDNSS1C201LT1GOSTR