ZXMN10A09KTC 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用� TrenchSTOP? 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)性能,適用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),能夠有效提高散熱性能和電流承載能�。它非常適合用于需要高頻開�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�
最大漏源電壓:90V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
柵極電荷�36nC
總電容:1420pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
ZXMN10A09KTC 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. TOLL 封裝�(shè)�(jì)提供更優(yōu)的熱特性和電氣性能�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
5. 高可靠�,在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電動(dòng)工具中的�(wú)刷直流電�(jī)�(qū)�(dòng)
3. 工業(yè)逆變器和變頻�
4. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中� DC/DC �(zhuǎn)換器
5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源設(shè)�
IPW100N09S3G, IRFZ44N