GA1206A272GXABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,在�(dǎo)通電�、開�(guān)速度和熱性能等方面表�(xiàn)出色。其封裝形式為行�(yè)標準的TO-263,適合高電流�(yīng)用場��
該型號屬于增強型N溝道MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其出色的雪崩能力和魯棒性設(shè)計使其能夠在嚴苛的工作條件下�(wěn)定運��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�90nC
輸入電容�2500pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA1206A272GXABR31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,適用于高頻�(yīng)��
3. 良好的熱性能,能夠承受高功率密度的運行環(huán)境�
4. 具備�(yōu)異的抗雪崩能�,增強了器件在過載條件下的可靠性�
5. 寬泛的工作溫度范�,支持從極端低溫到高溫的�(yīng)用場��
這款功率MOSFET適合用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)和保護電路�
4. 汽車電子中的DC/DC�(zhuǎn)換器及逆變器模��
5. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率放大和切換功能�
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N
IXFN50N06T2