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ZXMHC10A07N8TC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/8/14 15:50:01 查看 閱讀�203

�(chǎn)品種�: MOSFET 及電源驅(qū)�(dòng)� IC

目錄

概述

制造商: Diodes Inc.
�(chǎn)品種�: MOSFET 及電源驅(qū)�(dòng)� IC
�(chǎn)�: H-Bridge Drivers
上升�(shí)�: 1.5 ns
下降�(shí)�: 2.1 ns
最大功率耗散: 0.87 W
最大工作溫�: - 55�
最小工作溫�: + 150�
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Reel
最大關(guān)閉延遲時(shí)�: 4.1 ns
最大開啟延遲時(shí)�: 1.8 ns
安裝�(fēng)�: SMD/SMT
激�(lì)器數(shù)�: 4
輸出電壓: 100 V

zxmhc10a07n8tc推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

zxmhc10a07n8tc參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 通道� 2 �(gè) P 通道(H 橋式�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C800mA�680mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds138pF @ 60V
  • 功率 - 最�870mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMHC10A07N8DITR