類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�17毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�200V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�120A
Id時的Vgs(th)(最大)�4V 8mA
閘電�(Qg) Vgs�300nC 10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)�9100pF 25V
功率-最大:560W
其它名稱:IFX120N20
安裝類型:通孔
封裝/外殼:PLUS247?-3
包裝:管�