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ZXM66N03N8TA 發(fā)布時間 時間�2023/8/18 17:17:23 查看 閱讀�405

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�15 毫歐 @ 7.3A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�-
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �-
功率 - 最大:2.5W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:Digi-Reel?
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
其它名稱:ZXM66N03N8DKR

zxm66n03n8ta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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zxm66n03n8ta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 7.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱ZXM66N03N8DKR