UE878NMEH是一款高性能的功率MOSFET器件,專為高效率開關(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
該器件廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,例如適配器、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極電�(Vds)�80V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�130W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
UE878NMEH具備卓越的電氣性能和可靠�,其主要特點(diǎn)如下�
1. 極低的導(dǎo)通電�,減少導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)在惡劣條件下的魯棒��
4. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材料�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升抗靜電能力�
UE878NMEH適用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 充電器和適配器中的主功率��
5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
IRF878PBF, FDP16N80C, STP16NF08