ZVP2110GTA 是一款 N 溝道增強型垂直 DMOS 功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),屬于 Vishay Siliconix 的 ZVP 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性,適用于多種高頻和高效能應(yīng)用。ZVP2110GTA 在設(shè)計中注重優(yōu)化柵極電荷和閾值電壓,以實現(xiàn)更高的效率和更低的功耗。
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT),并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)要求。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:3.9A
導(dǎo)通電阻:0.4Ω
柵極閾值電壓:2.5V
總柵極電荷:12nC
開關(guān)時間:典型值 18ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
ZVP2110GTA 具備以下顯著特點:
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
2. 低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能使得它在高頻開關(guān)電源中表現(xiàn)出色。
4. 小型化封裝支持緊湊型設(shè)計,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對空間節(jié)省的需求。
5. 安全操作區(qū)(SOA)經(jīng)過優(yōu)化,能夠承受瞬間過載情況。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. LED 驅(qū)動器中的電流調(diào)節(jié)元件。
4. 電池保護電路中的負(fù)載開關(guān)。
5. 通信設(shè)備中的信號切換和功率管理部分。
ZVP2110A, IRLML2502, FDN340P