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XQ6VSX315T-L1RF1759I 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:11:42 查看 閱讀�31

XQ6VSX315T-L1RF1759I 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供高效率和低損耗的性能表現(xiàn)。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)��
  這款芯片具有�(yōu)異的電氣特性和熱特�,能夠適�(yīng)各種�(fù)雜的電路�(huán)�。其封裝形式和引腳布局�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),便于集成到各類(lèi)電子�(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:0.04Ω
  柵極電荷�25nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

XQ6VSX315T-L1RF1759I 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)650V的漏源電�,適用于高壓�(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,反向恢�(fù)�(shí)間僅�80ns,適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 封裝牢固可靠,便于散熱且易于焊接安裝�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器的功率�(jí)組件�
  4. 充電�、逆變器等電力電子�(shè)備的�(guān)鍵部��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的功率模��
  6. 任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)��

替代型號(hào)

XQ6VSX315T-L1RF1760I
  XQ6VSX315T-L1RF1761I
  XQ6VSX315T-L1RF1762I

xq6vsx315t-l1rf1759i推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)