XQ6VSX315T-L1RF1759I 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供高效率和低損耗的性能表現(xiàn)。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)��
這款芯片具有�(yōu)異的電氣特性和熱特�,能夠適�(yīng)各種�(fù)雜的電路�(huán)�。其封裝形式和引腳布局�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),便于集成到各類(lèi)電子�(shè)備中�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:0.04Ω
柵極電荷�25nC
反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
XQ6VSX315T-L1RF1759I 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)650V的漏源電�,適用于高壓�(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,反向恢�(fù)�(shí)間僅�80ns,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
5. 封裝牢固可靠,便于散熱且易于焊接安裝�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��
該芯片適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器的功率�(jí)組件�
4. 充電�、逆變器等電力電子�(shè)備的�(guān)鍵部��
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的功率模��
6. 任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)��
XQ6VSX315T-L1RF1760I
XQ6VSX315T-L1RF1761I
XQ6VSX315T-L1RF1762I