XQ5VSX50T-2EF665I 是一款高性能的功率MOSFET器件,適用于高效�、高速開關場景。該芯片基于先進的半導體工藝制�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,廣泛用于電源管�、電機驅(qū)動和其他電力電子應用中�
其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和散熱優(yōu)化。此型號特別適合需要高電流承載能力和高效能量轉換的應用場景�
類型:N溝道 MOSFET
耐壓�650V
導通電阻:50mΩ
最大漏極電流:50A
柵極電荷�150nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
XQ5VSX50T-2EF665I 的主要特性包括:
1. 超低導通電阻(Rds(on)�,在高電流條件下顯著降低功��
2. 高速開關性能,支持高頻操作以滿足�(xiàn)代電源設計需��
3. 極高的雪崩擊穿能�,增強器件在過載情況下的可靠��
4. �(yōu)化的熱性能,能夠有效處理高功率密度�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
這些特性使得該器件非常適合于開關電源、DC-DC轉換�、逆變器等應用領域�
該芯片的主要應用場景包括但不限于以下�
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. 電動工具及家電中的無刷直流電機驅(qū)動電��
3. 工業(yè)設備中的可編程邏輯控制器(PLC)與伺服�(qū)動器�
4. 太陽能逆變器和不間斷電源系�(tǒng)(UPS)�
5. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和牽引逆變器�
XQ5VSX50T-2EF665I 憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,成為上述應用的理想選擇�
XQ5VSX50T-2EF665H, IRFP260N, STW85N65DM2