XPC862PZP100B是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),也具備優(yōu)秀的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性。其封裝形式為PZP,適合高密度貼裝設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及通信設(shè)備中。
該器件的最大特點(diǎn)是能夠在高電流條件下保持較低的導(dǎo)通損耗,并且具有出色的耐熱特性和可靠性,可滿足嚴(yán)苛的工作環(huán)境要求。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:80nC
開關(guān)速度:超高速
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:PZP
XPC862PZP100B具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ),能夠顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻電路設(shè)計(jì),有效減少電磁干擾和開關(guān)損耗。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小型化封裝(PZP),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。
5. 高可靠性和長(zhǎng)壽命,適應(yīng)多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景,包括極端溫度條件下的使用。
6. 內(nèi)置保護(hù)功能(如過流保護(hù)和短路保護(hù)),進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和耐用性。
XPC862PZP100B適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率級(jí)開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的H橋或半橋配置。
3. 工業(yè)逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
4. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
6. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
7. 電動(dòng)汽車(EV)與混合動(dòng)力汽車(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機(jī)控制器。
XPC862PZP120B, XPC862PZP80B, IRF840, FQP17N10