WSD2050DN是一款雙通道增強型P溝道MOSFET晶體�,廣泛應用于開關(guān)電源、負載切換、電機驅(qū)動和保護電路等領(lǐng)�。該器件采用了先進的制造工藝,在低導通電阻和快速開�(guān)速度之間取得了良好的平衡,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
其封裝形式為SOP-8,具有較小的體積和較高的散熱性能,非常適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�5A
導通電阻(典型值)�12mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)時間:開啟延遲時�10ns,關(guān)斷延遲時�25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 低導通電阻設(shè)計可以有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特性使得該器件在高頻應用中表現(xiàn)出色�
3. SOP-8封裝提供了良好的熱性能和電氣連接可靠��
4. 較高的電流承載能力滿足多種應用場景的需��
5. 廣泛的工作溫度范圍確保了器件在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運��
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. 負載切換電路
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 電機�(qū)動與控制
5. 過流保護和短路保護電�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
IRF7404, AO3401A