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IXFR30N60P 發(fā)布時間 時間�2024/9/24 11:36:52 查看 閱讀�715

參數(shù)

類別:分離式半導體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�250毫歐 15A,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�600V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�15A
  Id時的Vgs(th)(最大)�5V 4mA
  閘電�(Qg) Vgs�85nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�3820pF 25V
  功率-最大:166W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:ISOPLUS247?
  包裝:管�

ixfr30n60p推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfr30n60p參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3820pF @ 25V
  • 功率 - 最�166W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應商設備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件