CRTS032N06N是一款基于氮化鎵(GaN)技術的功率晶體�,適用于高頻、高效能開關電源和DC-DC�(zhuǎn)換器應用。這款晶體管具有低導通電�、高開關速度和高擊穿電壓的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減小整體尺�。其封裝形式為TO-247,適合于大功率場��
型號:CRTS032N06N
類型:增強型場效應晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�32A
導通電阻(典型值)�45mΩ
柵極電荷(典型值)�135nC
開關頻率:高�5MHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝:TO-247
CRTS032N06N采用先進的氮化鎵技術制�,相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,它在開關速度和導通損耗方面具有顯著優(yōu)��
1. 高效性能:得益于極低的導通電阻和柵極電荷,該器件能夠在高頻條件下保持高效的開關表�(xiàn)�
2. 高可靠性:設計上具備出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能�,確保長期運行的�(wěn)定性�
3. 小型化支持:由于其高頻工作能�,可大幅減少無源元件的尺寸和�(shù)量,從而降低系�(tǒng)體積�
4. 寬溫范圍:工作溫度范圍從-55℃到+175�,適應各種惡劣環(huán)境下的使用需��
5. 快速恢復:�(nèi)部結構優(yōu)化以實現(xiàn)更快的動�(tài)響應,適合對瞬態(tài)響應要求較高的應用場��
CRTS032N06N廣泛應用于需要高效率和高功率密度的領�,包括但不限于以下場景:
1. 開關模式電源(SMPS):如AC-DC適配器和服務器電源�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:特別是在電動汽車充電站和通信基站��
3. 電機�(qū)動:用于工業(yè)自動化設備中的高效電機控��
4. 能量存儲系統(tǒng):如太陽能逆變器和儲能管理模塊�
5. PFC電路:功率因�(shù)校正應用中提供更高的效率和更小的解決方案�
CSD19538Q5B
CRTS032N06L
IRF540N